مقارنة Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Kingston Technology 4T FURY RENEGADE G5 M.2 2280 NVMe SSDمع Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gb

الميزة

Kingston Technology 4T FURY RENEGADE G5 M.2 2280 NVMe SSD

Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gb

الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.23 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.7 g 5.8 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14800 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gbمع Samsung MZ-77Q1T0

الميزة

Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gb

Samsung MZ-77Q1T0

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 5 V
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.23 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 5.8 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gbمع Samsung 990 EVO

الميزة

Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gb

Samsung 990 EVO

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) 600
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.23 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm)
وزن المنتج 5.8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الشهادات والتصديقات - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقارنة Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gbمع Lenovo 4XB7A14049 internal solid state drive

الميزة

Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gb

Lenovo 4XB7A14049 internal solid state drive

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 240 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 250 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 78000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 26000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.23 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2
وزن المنتج 5.8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gbمع Seagate Nytro 5350S

الميزة

Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gb

Seagate Nytro 5350S

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 195000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 12 V
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.23 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
وزن المنتج 5.8 جرام (g) 205 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gb

الميزة

HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gb

الحجم والأبعاد PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm) 2.23 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 5.8 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
محتويات العلبة HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gbمع Lenovo 4XB1M86954 internal solid state drive

الميزة

Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gb

Lenovo 4XB1M86954 internal solid state drive

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6900 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.23 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)
وزن المنتج 5.8 جرام (g) 7.2 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة GIGABYTE AORUS Gen4 7300مع Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gb

الميزة

GIGABYTE AORUS Gen4 7300

Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gb

الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.23 * 22 * 80 مليمتر (mm)
نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 700 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم TRIM true false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير Yes -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 5.8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gbمع Samsung MZ-77Q4T0

الميزة

Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gb

Samsung MZ-77Q4T0

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 5 V
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.23 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 5.8 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gbمع Samsung 970 EVO

الميزة

Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gb

Samsung 970 EVO

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 3.3 V
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.23 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 5.8 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
خيارات الألوان - أسود
تقنية التشفير - Yes
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة AGI Technology AI828مع Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gb

علامة تجارية غير معروفة VS كيوكسا
الميزة

AGI Technology AI828

Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gb

الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.23 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 5.8 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1500 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V 3.3 فولت (v)
دعم TRIM true false
دعم S.M.A.R.T true false
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Kingston Technology 2000G NV3 M.2 2230 NVMe SSDمع Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gb

الميزة

Kingston Technology 2000G NV3 M.2 2230 NVMe SSD

Kioxia Bg5 Nvme M2 256Gb

الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2.23 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.8 g 5.8 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 640 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false