صفحة 4 من المقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Crucial Bx500 480Gbمع Intel 670P Nvme M2 512Gb

الميزة	Crucial Bx500 480Gb	Intel 670P Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTTF) / 120 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	7 * 95 * 125 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	70 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Evo 1Tb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Samsung 860 Evo 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows XP Service Pack 2 والإصدارات الأحدث / Windows Server 2003 Service Pack 2 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد	-	6.8 * 69.8 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	86 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Lexar Ns100 512Gb

إنتل VS ليكسار

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Lexar Ns100 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	256 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم TRIM	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
الحجم والأبعاد	-	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	34 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Pny Cs3040 Nvme M2 4Tb

إنتل VS بي إن واي

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Pny Cs3040 Nvme M2 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 ساعة (MTBF) / 6800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	6.6 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Evo 500Gb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Samsung 960 Evo 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Kingston A400 240Gb

إنتل VS كينغستون

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Kingston A400 240Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	350 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 ساعة (MTBF) / 80 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-	0.279 واط في المتوسط / 0.642 واط في وضع القراءة / 1.535 واط في وضع الكتابة / 0.195 واط في وضع الاستعداد
دعم TRIM	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
الحجم والأبعاد	-	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	41 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	100 x 69.85 x 6.8 مم
وزن المنتج	-	62 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	46 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Pro 1Tb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Samsung 960 Pro 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	8.5 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung PM893 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Samsung PM893 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-
الحجم والأبعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	70 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Qvo 1Tb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Samsung 860 Qvo 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	62 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb

إنتل VS بي إن واي

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6850 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	20.5 x 22.8 x 80.4 مم (مع غطاء حراري) / 4 x 22 x 80 مم (بدون غطاء حراري)
وزن المنتج	-	مع غطاء حراري: 45 غ / بدون غطاء حراري: 6.6 غ

عرض تفاصيل المقارنة