مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G -
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم RAID false -
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
العمر الافتراضي المتوسط - 600
الحجم والأبعاد - 2280 (22 x 80 mm)
الشهادات والتصديقات - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G -
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم RAID false -
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج - 8 g
خيارات الألوان - Siyah
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661

الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G -
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم RAID false -
مؤشر الحالة LED false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 80 °C
الحجم والأبعاد - 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm)
وزن المنتج - 6.5 g

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G -
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم RAID false -
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج - 8 g

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Intel 670P Nvme M2 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS إنتل
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Intel 670P Nvme M2 512Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500 -
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) -
وزن المنتج 7.5 g -
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم - Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC 3D NAND
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G -
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم RAID false -
مؤشر الحالة LED false -
العمر الافتراضي المتوسط - 1800000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - 2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
وزن المنتج - 40 g
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G -
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 47500 IOPS
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم RAID false -
مؤشر الحالة LED false -
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - 2.5" (70 * 100 * 7 mm)
تقنية التشفير - No
دعم S.M.A.R.T - true

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G -
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم RAID false -
مؤشر الحالة LED false -
العمر الافتراضي المتوسط - 250
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
وزن المنتج - 8 g
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G -
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6900 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم RAID false -
مؤشر الحالة LED false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 80 °C
الحجم والأبعاد - 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)
وزن المنتج - 7.2 g

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G -
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 31000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم RAID false -
مؤشر الحالة LED false -
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - 2.5" (70 * 100 * 7 mm)
وزن المنتج - 70 g
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G -
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم RAID false -
مؤشر الحالة LED false -
العمر الافتراضي المتوسط - 480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - M.2 (22 * 80 * 2.1 mm)
وزن المنتج - 7 g
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 240 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G -
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 250 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 78000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 26000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم RAID false -
مؤشر الحالة LED false -
الحجم والأبعاد - M.2