VS
VS

مقارنة اس اس دي داخلي هايبر إكس SH103S3B/120G مع سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

مقارنة الميزات

الميزات الفنية
الميزات الفنية
سعة الذاكرة 120 GB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش MLC V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 555 MB/s 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 510 MB/s 4200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 20000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 60000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1000000 saat 600
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الميزات الجمالية
الميزات الجمالية
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 9.5 * 100 mm) 2280 (22 x 80 mm)
وزن المنتج 97 g -
خيارات الألوان Siyah -
مادة الهيكل Aluminium -
نوع التخزين
نوع التخزين
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
القدرات
القدرات
دعم S.M.A.R.T نعم نعم
دعم TRIM نعم نعم
تقنية التشفير - Yes
الشهادات والتصديقات - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
إخلاء المسؤولية: قد تحتاج المعلومات في هذه الصفحة إلى مراجعة. إذا لاحظت أي تناقض، يرجى الإبلاغ عنه

مقارنة تقييمات المستخدمين

اس اس دي داخلي هايبر إكس SH103S3B/120G
0 /10
من إجمالي 1 تصويت
سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
0 /10
من إجمالي 1 تصويت

الأسئلة والأجوبة حول هذه المقارنة

لا توجد أسئلة حول هذه المقارنة بعد.

كن أول من يطرح سؤالاً!

سيتم عرض سؤالك بعد الموافقة عليه

تقديم تقييم وملاحظات لهذه المقارنة

اكتب 10 أحرف على الأقل
البحث عن منتج للمقارنة