مقارنة Hikvision E100N 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Adata Xpg Sx900 128Gbمع Hikvision E100N 512Gb

الميزة

Adata Xpg Sx900 128Gb

Hikvision E100N 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 510 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 140 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 0.8 واط في الوضع النشط / 0.4 واط في وضع الاستعداد 2.25 واط في وضع القراءة / 2.51 واط في وضع الكتابة / 0.055 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true false
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / macOS / Linux -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm) 1.5 * 80 * 22 مليمتر (mm)
وزن المنتج 68 جرام (g) 5.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
الميزات الإضافية -

مقارنة Hikvision E100N 512Gbمع Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb

الميزة

Hikvision E100N 512Gb

Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 140 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 2.25 واط في وضع القراءة / 2.51 واط في وضع الكتابة / 0.055 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 1.5 * 80 * 22 مليمتر (mm) 100 x 69.85 x 6.8 مم
وزن المنتج 5.4 جرام (g) 62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
تقنية التشفير -

مقارنة Hikvision E100N 512Gbمع Samsung 860 Qvo 1Tb

الميزة

Hikvision E100N 512Gb

Samsung 860 Qvo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 140 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 2.25 واط في وضع القراءة / 2.51 واط في وضع الكتابة / 0.055 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 1.5 * 80 * 22 مليمتر (mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 5.4 جرام (g) 62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
تقنية التشفير -

مقارنة Hikvision E100N 512Gbمع Samsung 960 Pro 2Tb

الميزة

Hikvision E100N 512Gb

Samsung 960 Pro 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 140 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 2.25 واط في وضع القراءة / 2.51 واط في وضع الكتابة / 0.055 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 1.5 * 80 * 22 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 5.4 جرام (g) 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
تقنية التشفير -

مقارنة Hikvision E100N 512Gbمع Pny Cs3040 Nvme M2 4Tb

الميزة

Hikvision E100N 512Gb

Pny Cs3040 Nvme M2 4Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 140 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 6800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 2.25 واط في وضع القراءة / 2.51 واط في وضع الكتابة / 0.055 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الحجم والأبعاد 1.5 * 80 * 22 مليمتر (mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 5.4 جرام (g) 6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة مع Hikvision E100N 512Gb

الميزة

Hikvision E100N 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال PCIe Gen4 NVMe -
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
الميزات الإضافية برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري
الحجم والأبعاد M.2 2280 1.5 * 80 * 22 مليمتر (mm)
محتويات العلبة ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 140 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 2.25 واط في وضع القراءة / 2.51 واط في وضع الكتابة / 0.055 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
وزن المنتج - 5.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Hikvision E100N 512Gbمع

الميزة

Hikvision E100N 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 140 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة 2.25 واط في وضع القراءة / 2.51 واط في وضع الكتابة / 0.055 واط في وضع الاستعداد فعال
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
الميزات الإضافية تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
الحجم والأبعاد 1.5 * 80 * 22 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 5.4 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - NVMe
وحدة التحكم - وحدة تحكم مطلية بالنيكل
الأنظمة المتوافقة - كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
تقنية التشفير -
محتويات العلبة - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

مقارنة Hikvision E100N 512Gbمع

الميزة

Hikvision E100N 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 512 جيجابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 140 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة 2.25 واط في وضع القراءة / 2.51 واط في وضع الكتابة / 0.055 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false نعم
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false نعم
الميزات الإضافية تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
الحجم والأبعاد 1.5 * 80 * 22 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 5.4 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - NVMe Gen3x4
وحدة التحكم - وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
الأنظمة المتوافقة - Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
محتويات العلبة - SSD، وثائق

مقارنة Hikvision E100N 512Gbمع

الميزة

Hikvision E100N 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش Samsung V-NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM false نعم
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 140 تيرابايت مكتوبة (TBW) غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
استهلاك الطاقة 2.25 واط في وضع القراءة / 2.51 واط في وضع الكتابة / 0.055 واط في وضع الاستعداد أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO
دعم NCQ false نعم
دعم TRIM false نعم
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false نعم
الميزات الإضافية برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
الحجم والأبعاد 1.5 * 80 * 22 مليمتر (mm) M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج 5.4 جرام (g) تقريبًا 8.0 جرام
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
وحدة التحكم - Samsung Elpis Controller
الأنظمة المتوافقة - Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
تقنية التشفير - تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان - أسود
محتويات العلبة - SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع Hikvision E100N 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS هيكفيجن
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI818

Hikvision E100N 512Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4700 MB/s 510 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1200 1,500,000 ساعة (MTBF) / 140 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm) 1.5 * 80 * 22 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 5.4 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - 2.25 واط في وضع القراءة / 2.51 واط في وضع الكتابة / 0.055 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Hikvision E100N 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS هيكفيجن
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Hikvision E100N 512Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 510 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500 1,500,000 ساعة (MTBF) / 140 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 1.5 * 80 * 22 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 5.4 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - 2.25 واط في وضع القراءة / 2.51 واط في وضع الكتابة / 0.055 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Hikvision E100N 512Gbمع محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

الميزة

Hikvision E100N 512Gb

محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4800 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 560000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 615000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 140 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1400
استهلاك الطاقة 2.25 واط في وضع القراءة / 2.51 واط في وضع الكتابة / 0.055 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 1.5 * 80 * 22 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm)
وزن المنتج 5.4 جرام (g) 10 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الشهادات والتصديقات - UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE