مقارنة Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gbمع زاداك TWSG3 NVMe M.2 سعة 256 جيجابايت

الميزة

Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gb

زاداك TWSG3 NVMe M.2 سعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
ذاكرة DRAM false -
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ true -
دعم TRIM false -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T false -
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 150 * 120 * 15 مليمتر (mm) 2.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 250 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الميزات الإضافية -

مقارنة Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gbمع Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

الميزة

Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gb

Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
ذاكرة DRAM false true
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ true false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 150 * 120 * 15 مليمتر (mm) 3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)
وزن المنتج 250 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM - DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط - 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام
الميزات الإضافية - خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)

مقارنة Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gbمع Klevv Cras C710 Nvme M2 1Tb

الميزة

Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gb

Klevv Cras C710 Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
ذاكرة DRAM false false
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ true false
دعم TRIM false false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 150 * 120 * 15 مليمتر (mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 250 جرام (g) 7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1650 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج Acronis True Image HD 2018

مقارنة Adata Legend 750 Nvme M2 500Gbمع Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gb

الميزة

Adata Legend 750 Nvme M2 500Gb

Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
ذاكرة DRAM false false
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ true false
دعم TRIM false false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 150 * 120 * 15 مليمتر (mm) 3.1 × 22 × 80 مم مع مبدد حراري / 2.1 × 22 × 80 مم بدون مبدد حراري
وزن المنتج 250 جرام (g) 9 جرام مع المشتت الحراري ** 6.2 جرام بدون المشتت الحراري
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
خيارات الألوان - أزرق

مقارنة Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gbمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

الميزة

Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gb

Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
ذاكرة DRAM false true
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ true false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false false
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 150 * 120 * 15 مليمتر (mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 250 جرام (g) 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الميزات الإضافية -

مقارنة Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gbمع Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

الميزة

Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gb

Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
ذاكرة DRAM false true
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ true false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false false
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 150 * 120 * 15 مليمتر (mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 250 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -

مقارنة Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gbمع Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

الميزة

Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gb

Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
ذاكرة DRAM false true
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ true false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 150 * 120 * 15 مليمتر (mm) 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 250 جرام (g) 9.7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط - 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية - خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)

مقارنة Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gbمع Lexar Sl200 Usb 31 1Tb

الميزة

Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gb

Lexar Sl200 Usb 31 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
ذاكرة DRAM false false
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ true false
دعم TRIM false false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false false
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 150 * 120 * 15 مليمتر (mm) 9.5 * 60 * 86 مليمتر (mm)
وزن المنتج 250 جرام (g) 40.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false true
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.1 Gen 1
سرعة القراءة التسلسلية - 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
تقنية التشفير -
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-A / كابل USB Type-C إلى USB Type-C / دليل المستخدم (ملاحظة: مكرر)

مقارنة Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gbمع Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb

الميزة

Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gb

Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
ذاكرة DRAM false false
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ true false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 150 * 120 * 15 مليمتر (mm) 2.15 x 22 x 80 مم
وزن المنتج 250 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 4500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
الميزات الإضافية - ترميز LPDC / خوارزمية رمز تصحيح الخطأ (ECC) / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات

مقارنة Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gbمع Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb

الميزة

Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gb

Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
ذاكرة DRAM false false
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v)
دعم NCQ true true
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 150 * 120 * 15 مليمتر (mm) 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 250 جرام (g) 10 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 1950 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 3.5 واط في الوضع النشط
الميزات الإضافية -

مقارنة Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gbمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gb

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
ذاكرة DRAM false false
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v)
دعم NCQ true true
دعم TRIM false -
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 150 * 120 * 15 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 250 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

مقارنة جيجابايت Nvme M2 256Gbمع Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gb

الميزة

جيجابايت Nvme M2 256Gb

Hgst Emc V4 2S6Fx 400 Sas 400Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
ذاكرة DRAM false false
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ true false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 150 * 120 * 15 مليمتر (mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 250 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية - 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
الميزات الإضافية - دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box