صفحة 5 من المقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

جودرام VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
سعة الذاكرة	256 GB	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	180	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

جودرام VS سيجيت

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
سعة الذاكرة	256 GB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180	1400
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
وزن المنتج	-	50 g
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD

جودرام VS إتش بي

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD
سعة الذاكرة	256 GB	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	-
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	180	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	82 * 30 * 12 mm
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
وزن المنتج	-	164 g
محتويات العلبة	-	Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

جودرام VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe
سعة الذاكرة	256 GB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	TLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	440000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	M.2
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
وزن المنتج	-	9 g
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

جودرام VS إتش بي

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD
سعة الذاكرة	256 GB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	TLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	-
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	180	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
وزن المنتج	-	9 g
محتويات العلبة	-	HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

جودرام VS لينوفو

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي
سعة الذاكرة	256 GB	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	-
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	47500 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180	2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	2.5" (70 * 100 * 7 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	No
دعم S.M.A.R.T	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني$

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

جيجابايت VS جودرام

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	1 TB	256 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	480 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	700	180
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	61440 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

جودرام VS سيجيت

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S
سعة الذاكرة	256 GB	15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	7200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	195000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180	2500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
الجهد التشغيلي	-	12 V
وزن المنتج	-	205 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

جودرام VS فيليبس

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00
سعة الذاكرة	256 GB	240 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	360 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	180	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	2.5" (100 * 7 * 70 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	38.2 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

جودرام VS كينغستون

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات
سعة الذاكرة	256 GB	3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	14000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	5800 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	2700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	300000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180	2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	146.2 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت

جودرام VS آي ستوريدج

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت
سعة الذاكرة	256 GB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	7200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	6500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	1000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	1000000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	2280 (22 x 80 mm) (22 mm * 80 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	14 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

جودرام VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
سعة الذاكرة	256 GB	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	180	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة