صفحة 7 من المقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع ويسترن ديجيتال Red SA500 SATA 2.5 بوصة سعة 1 تيرابايت

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

ويسترن ديجيتال Red SA500 SATA 2.5 بوصة سعة 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 95,000 عملية إدخال/إخراج في الثانية (IOPS)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 85,000 عملية إدخال/إخراج في الثانية (IOPS)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTTF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 100.2 x 69.85 x 7 مم
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 37.4 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box خوارزمية تصحيح الخطأ (ECC) / خوارزمية LDPC المتقدمة لتصحيح الأخطاء / دعم خوارزمية GC للاستخدام الأمثل لمساحة الذاكرة / برنامج Transcend SSD Scope
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.58 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.31 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM - DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
مؤشر الحالة LED false false

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Samsung 983 DCT NVMe M.2 بسعة 960 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

Samsung 983 DCT NVMe M.2 بسعة 960 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 1366 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 8 واط في الوضع النشط / 2.6 واط في وضع الخمول
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 110.2 x 22 x 38 مم
مؤشر الحالة LED false -
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 20 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 1.92 تيرابايت

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 1.92 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1.92 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 11.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث / Mac OS الإصدار 10.3 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 6 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مادة الهيكل - بلاستيك
وزن المنتج - 46 جرام (g)
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-A

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Samsung PM1643a SATA 2.5 بوصة بسعة 3.84 تيرابايت

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

Samsung PM1643a SATA 2.5 بوصة بسعة 3.84 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 3.84 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
وزن المنتج - 160 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / برنامج SP Toolbox
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Silicon Power Ace A55 SATA 2.5 بوصة بسعة 2 تيرابايت

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

Silicon Power Ace A55 SATA 2.5 بوصة بسعة 2 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
مؤشر الحالة LED false false

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 960 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 960 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 11.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث / Mac OS الإصدار 10.3 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 6 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مادة الهيكل - بلاستيك
وزن المنتج - 46 جرام (g)
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-A

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Evo 250Gb

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

Samsung 960 Evo 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 7.7 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Qvo 1Tb

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

Samsung 860 Qvo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 62 جرام (g)