صفحة 6 من المقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	100 x 69.85 x 6.8 مم
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	62 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Lexar Ns100 512Gb

جيجابايت VS ليكسار

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	Lexar Ns100 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	256 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وزن المنتج	-	34 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	46 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb

جيجابايت VS بي إن واي

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 3600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
تقنية التشفير	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	6.6 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Evo 500Gb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	Samsung 960 Evo 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Evo 1Tb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	Samsung 960 Evo 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Seagate Firecuda 530 Heatsink 2Tb

جيجابايت VS سيغيت

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	Seagate Firecuda 530 Heatsink 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7250 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,800,000 ساعة (MTBF) / 5100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	47 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Pro 1Tb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	Samsung 960 Pro 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8.5 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 250 جيجابايت

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 250 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 70 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	45 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Silicon Power Ace A58 SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت

جيجابايت VS سيلكون باور

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	Silicon Power Ace A58 SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	460 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	360 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / برنامج SP Toolbox
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	63 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Samsung PM893 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	Samsung PM893 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	70 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع Samsung PM883 SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	Samsung PM883 SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		1.3 واط في وضع الخمول / 2.7 واط في الوضع النشط
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	إمكانية التشغيل على مدار 24 ساعة
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	-
مؤشر الحالة LED	false	false

عرض تفاصيل المقارنة