صفحة 4 من المقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
وزن المنتج	-	8 g
خيارات الألوان	-	Siyah
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت

جيجابايت VS كينغستون

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	14800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	14000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		2200000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	7.7 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

جيجابايت VS جيجابايت

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

جيجابايت VS جيجابايت

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

جيجابايت VS إكس بي جي

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	250
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	8 g
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD

جيجابايت VS إتش بي

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		-
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	82 * 30 * 12 mm
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	164 g
محتويات العلبة	-	Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS جيجابايت

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI818	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5200 MB/s	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4700 MB/s	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1200	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	600
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الشهادات والتصديقات	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

جيجابايت VS لينوفو

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		47500 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70 * 100 * 7 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	No

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

ديل VS جيجابايت

الميزة	SSD داخلي ديل 345-BBCZ	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	3.84 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	No	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

جيجابايت VS لينوفو

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb	SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		31000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70 * 100 * 7 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	70 g
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS جيجابايت

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة