صفحة 3 من المقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 14000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5800 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 300000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 146.2 g

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1480 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 12 g -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 82 * 30 * 12 mm
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 34.4 g
محتويات العلبة - HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 mm * 80 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 14 g

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 320
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 2.8 g

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

الميزة

محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

سعة الذاكرة 1.6 TB
الحجم والأبعاد 2.5" 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية - 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 195000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 12 V
وزن المنتج - 205 g

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5"
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 58 g
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 94000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 78000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 3504
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 69 g
تقنية التشفير - No

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70 * 100 * 7 mm)
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3512Gntd Nvme M2 512Gb

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 440000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 9 g
خيارات الألوان - Black, Green