مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gb

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع استخدام الذاكرة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال -
الأنظمة المتوافقة -

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gbمع

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة فعال
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - NVMe
وحدة التحكم - وحدة تحكم مطلية بالنيكل
الأنظمة المتوافقة - كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
تقنية التشفير -
محتويات العلبة - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gbمع

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 512 جيجابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true نعم
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true نعم
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - NVMe Gen3x4
وحدة التحكم - وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
الأنظمة المتوافقة - Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
محتويات العلبة - SSD، وثائق

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gb

علامة تجارية غير معروفة VS جيجابايت
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6 g -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gbمع

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش Samsung V-NAND
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM false نعم
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
استهلاك الطاقة أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO
دعم NCQ false نعم
دعم TRIM true نعم
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true نعم
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
وحدة التحكم - Samsung Elpis Controller
الأنظمة المتوافقة - Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
تقنية التشفير - تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان - أسود
وزن المنتج - تقريبًا 8.0 جرام
محتويات العلبة - SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gbمع محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gb

محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4800 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 560000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 615000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1400
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 10 g
الشهادات والتصديقات - UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gbمع سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gb

سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 600
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الشهادات والتصديقات - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gb

علامة تجارية غير معروفة VS جيجابايت
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI818

جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4700 MB/s 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1200 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية - تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gb

SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 240 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 250 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 78000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 26000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gbمع لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gb

لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6900 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 7.2 g

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gbمع كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gb

كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 500 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 160
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 2.6 g

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne3256Gntd Nvme M2 256Gb

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1400
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 50 g
الشهادات والتصديقات - RoHS