مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

جيجابايت VS كليف

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	3D TLC NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4800 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		560000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		615000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1400
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	10 g
الشهادات والتصديقات	-	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم		وحدة تحكم مطلية بالنيكل
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		فعال
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	M.2 2280
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe
الأنظمة المتوافقة	-	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
تقنية التشفير	-
محتويات العلبة	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd {request()->input('language_config')['common']['with']} كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت

جيجابايت VS كينغستون

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	3D TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	14800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	14000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		2200000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	7.7 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

جيجابايت VS كينغستون

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	3D TLC NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		94000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		78000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	3504
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	69 g
تقنية التشفير	-	No

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd {request()->input('language_config')['common']['with']} HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

جيجابايت VS إتش بي

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	82 * 30 * 12 mm
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	34.4 g
محتويات العلبة	-	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd$

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd

جيجابايت VS جيجابايت

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd {request()->input('language_config')['common']['with']} كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

جيجابايت VS كينغستون

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	500 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	3D NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	160
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	2.6 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

جيجابايت VS كينغستون

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	480
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	M.2 (22 * 80 * 2.1 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	7 g
الشهادات والتصديقات	-	CE, RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

جيجابايت VS لينوفو

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 76 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	M.2 (80 * 22 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd {request()->input('language_config')['common']['with']} كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

جيجابايت VS كينغستون

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	3D eTLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	14000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5800 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		2700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		300000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	146.2 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة