مقارنة Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tb

علامة تجارية غير معروفة VS كورسير
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 4950 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 3700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500 1,800,000 ساعة (MTBF) / 450 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V 3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 15 * 23 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 34 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - 6.3 واط (وضع القراءة) / 6.3 واط (وضع الكتابة) / أقل من 5 مللي واط (وضع DevSlp)
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tb

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 4950 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 450 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1400
استهلاك الطاقة 6.3 واط (وضع القراءة) / 6.3 واط (وضع الكتابة) / أقل من 5 مللي واط (وضع DevSlp) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 15 * 23 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 50 g
مؤشر الحالة LED false -
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tbمع محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

الميزة

Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tb

محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 4950 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 3700 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 47500 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 450 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة 6.3 واط (وضع القراءة) / 6.3 واط (وضع الكتابة) / أقل من 5 مللي واط (وضع DevSlp) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير No
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 15 * 23 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70 * 100 * 7 mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tbمع محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي

الميزة

Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tb

محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1.6 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 4950 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 3700 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 450 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة 6.3 واط (وضع القراءة) / 6.3 واط (وضع الكتابة) / أقل من 5 مللي واط (وضع DevSlp) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 15 * 23 * 80 مليمتر (mm) 2.5"
وزن المنتج 34 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tbمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tb

Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 4950 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 450 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1800000 saat
استهلاك الطاقة 6.3 واط (وضع القراءة) / 6.3 واط (وضع الكتابة) / أقل من 5 مللي واط (وضع DevSlp) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 15 * 23 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 40 g
مؤشر الحالة LED false -
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

الميزة

Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 4950 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 5 V
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 450 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 6.3 واط (وضع القراءة) / 6.3 واط (وضع الكتابة) / أقل من 5 مللي واط (وضع DevSlp) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 15 * 23 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tbمع Msi Spatium M480 Hs Nvme M2 1Tb

الميزة

Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tb

Msi Spatium M480 Hs Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 4950 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 450 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,600,000 ساعة (MTBF) / 700 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 6.3 واط (وضع القراءة) / 6.3 واط (وضع الكتابة) / أقل من 5 مللي واط (وضع DevSlp)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد 15 * 23 * 80 مليمتر (mm) 2.15 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)
وزن المنتج 34 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
نوع الذاكرة DRAM - DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 1 جيجابايت

مقارنة Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

الميزة

Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tb

محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 4950 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 450 تيرابايت مكتوبة (TBW) 250
استهلاك الطاقة 6.3 واط (وضع القراءة) / 6.3 واط (وضع الكتابة) / أقل من 5 مللي واط (وضع DevSlp) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 15 * 23 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tbمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

الميزة

Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tb

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 4950 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 440000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 450 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة 6.3 واط (وضع القراءة) / 6.3 واط (وضع الكتابة) / أقل من 5 مللي واط (وضع DevSlp) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 15 * 23 * 80 مليمتر (mm) M.2
وزن المنتج 34 جرام (g) 9 g
مؤشر الحالة LED false -
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tbمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة

Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tb

سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 4950 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 3.3 V
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 450 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 6.3 واط (وضع القراءة) / 6.3 واط (وضع الكتابة) / أقل من 5 مللي واط (وضع DevSlp) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 15 * 23 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
خيارات الألوان - Siyah
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

الميزة

Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tb

محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D cMLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 4950 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 3700 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 450 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة 6.3 واط (وضع القراءة) / 6.3 واط (وضع الكتابة) / أقل من 5 مللي واط (وضع DevSlp) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 15 * 23 * 80 مليمتر (mm) M.2 (22 * 110 * 2 mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 14 g
مؤشر الحالة LED false -
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 4950 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 450 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 6.3 واط (وضع القراءة) / 6.3 واط (وضع الكتابة) / أقل من 5 مللي واط (وضع DevSlp) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 15 * 23 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -