مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		-
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	82 * 30 * 12 mm
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	34.4 g
محتويات العلبة	-	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي

أسغارد VS بريداتور

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6300 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	925000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	974000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	7 g
الشهادات والتصديقات	-	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

أسغارد VS سيجيت

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC 3D NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	500 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1800000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	40 g
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

أسغارد VS سيجيت

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1400
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	90000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	50 g
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

أسغارد VS سيجيت

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1400
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	90000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	50 g
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

أسغارد VS سيجيت

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D cMLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (22 * 110 * 2 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	28000 IOPS
وزن المنتج	-	14 g
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع

أسغارد VS سامسونغ

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		Samsung V-NAND
وحدة التحكم		Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
ذاكرة DRAM	false	نعم
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
دعم NCQ	false	نعم
دعم TRIM	true	نعم
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	نعم
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
الأنظمة المتوافقة	-	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية	-	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
تقنية التشفير	-	تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان	-	أسود
وزن المنتج	-	تقريبًا 8.0 جرام
محتويات العلبة	-	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان
استهلاك الطاقة	-	أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

أسغارد VS سامسونج

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

أسغارد VS إكس بي جي

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	250
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	8 g
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

أسغارد VS لينوفو

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80 * 22 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 76 °C
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

أسغارد VS سامسونج

الميزة	Asgard An3 Nvme M2 512Gb	سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2500 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	8 g
خيارات الألوان	-	Siyah
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Asgard An3 Nvme M2 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS أسغارد

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Asgard An3 Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة