مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D cMLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (22 * 110 * 2 mm)
مؤشر الحالة LED false -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 28000 IOPS
وزن المنتج - 14 g
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش Samsung V-NAND
وحدة التحكم Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
ذاكرة DRAM false نعم
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
دعم NCQ false نعم
دعم TRIM true نعم
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true نعم
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
الأنظمة المتوافقة - Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية - برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
تقنية التشفير - تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان - أسود
وزن المنتج - تقريبًا 8.0 جرام
محتويات العلبة - SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان
استهلاك الطاقة - أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 46 g

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 250
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
مؤشر الحالة LED false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 8 g
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80 * 22 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 76 °C
وزن المنتج - 9 g

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2500 MB/s
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 8 g
خيارات الألوان - Siyah
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Asgard An3 Nvme M2 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS أسغارد
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 46 g

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع Asgard An3 Nvme M2 512Gb

الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1480 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 12 g -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1700 MB/s
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 480
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (22 * 80 * 2.1 mm)
مؤشر الحالة LED false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 7 g
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 640
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)
مؤشر الحالة LED false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 2.8 g

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 512Gbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 512Gb

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع استخدام الذاكرة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال -
الأنظمة المتوافقة -
الميزات الإضافية -