| سلسلة المعالج | ||
|---|---|---|
| النموذج | ||
| نوع المعمارية الدقيقة | ||
| نوع المقبس | ||
| نوع الطباعة الحجرية | 7 نانومتر FinFET | 45 نانومتر |
| معمارية المعالج | 64 بت | 64 بت |
|---|---|---|
| عدد أنوية المعالج | - | |
| عدد خيوط المعالج | - | |
| التردد الأساسي للمعالج | 3.7 جيجاهرتز (ghz) | 1.87 جيجاهرتز (ghz) |
| تردد رفع السرعة للمعالج | 4.5 جيجاهرتز (ghz) | - |
| حجم الذاكرة المخبئية L1 | - | |
| سعة الذاكرة المخبئية L2 | - | |
| حجم ذاكرة L3 | ||
| سرعة الحافلة | 8 × 16 جيجاترانسفر/ثانية | 4.8 جيجاترانسفر/ثانية |
| استهلاك الطاقة |
|---|
| نوع وحدة الرسومات الداخلية | لا توجد وحدة رسومات مدمجة | لا توجد وحدة رسومات مدمجة |
|---|
| نوع الذاكرة المدعومة | ||
|---|---|---|
| الحد الأقصى لسعة الذاكرة المدعومة | - | |
| الحد الأقصى لعرض نطاق الذاكرة | 95.37 جيجابت/ثانية | - |
| عدد خطوط PCIe | - | |
| أقصى درجة حرارة تشغيل مسموحة | 95 درجة مئوية (°c) / درجة سلسيوس | 70 درجة مئوية (°c) / درجة سلسيوس |
لا توجد أسئلة حول هذه المقارنة بعد.
كن أول من يطرح سؤالاً!
التقييمات المميزة