صفحة 4 من المقارنة قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة SSD داخلي سامسونج PM981 NVMeمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سعة الذاكرة 1 TB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2400 MB/s 6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 380000 IOPS 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 440000 IOPS 750 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج 9 g 10 g
خيارات الألوان Black, Green -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
العمر الافتراضي المتوسط - 1480

مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخليمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 2 TB 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 7200 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6300 MB/s 6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 925000 IOPS 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 974000 IOPS 750 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm) M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج 7 g 10 g
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI -
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D NAND

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سعة الذاكرة 240 GB 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 540 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 250 MB/s 6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 78000 IOPS 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 26000 IOPS 750 IOPS
الحجم والأبعاد M.2 M.2 (22 mm * 4.3 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 2.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D NAND
العمر الافتراضي المتوسط - 1480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 10 g

مقارنة محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخليمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سعة الذاكرة 3.84 TB 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS 750 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج 58 g 10 g
خيارات الألوان Siyah -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D NAND
العمر الافتراضي المتوسط - 1480

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

علامة تجارية غير معروفة VS إكس بي جي
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 1 TB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 6400 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 600 1480
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج 6 g 10 g
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 750 IOPS

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

وزن المنتج 164 g 10 g
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm M.2 (22 mm * 4.3 mm)
محتويات العلبة Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة - PCI Express 4.0
تقنية التشفير - Yes
سعة الذاكرة - 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية - 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 750 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 1 TB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4200 MB/s 6400 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 600 1480
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) M.2 (22 mm * 4.3 mm)
الشهادات والتصديقات Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 750 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 10 g

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سعة الذاكرة 960 GB 2 TB
الحجم والأبعاد 2.5" M.2 (22 mm * 4.3 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية - 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 750 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 10 g

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تقنية التشفير Yes Yes
سعة الذاكرة 3.84 TB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 5800 MB/s 6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2700000 IOPS 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 300000 IOPS 750 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج 146.2 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سعة الذاكرة 500 GB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 MB/s 6400 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 160 1480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج 2.6 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 750 IOPS

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
سعة الذاكرة 2 TB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS 750 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1480 1480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج 12 g 10 g
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -

مقارنة TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايتمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 750 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1480
دعم NCQ true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الأنظمة المتوافقة Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الحجم والأبعاد - M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج - 10 g