صفحة 11 من المقارنة Twinmos Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Lexar Sl200 Usb 31 1Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

الميزة	Lexar Sl200 Usb 31 1Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	-
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	-
مؤشر الحالة LED	false	true
نوع الاتصال	-	Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.1 Gen 1
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	9.5 * 60 * 86 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	40.6 جرام (g)
محتويات العلبة	-	كابل USB Type-C إلى USB Type-A / كابل USB Type-C إلى USB Type-C / دليل المستخدم (ملاحظة: مكرر)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Nvme M2 256Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS جيجابايت

الميزة	جيجابايت Nvme M2 256Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box
مؤشر الحالة LED	false	false
استهلاك الطاقة	-
الحجم والأبعاد	-	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايتمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS توينموس

الميزة	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	true
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	false	false
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS إم إس آي

الميزة	Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	9.7 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS كورسير

الميزة	Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,800,000 ساعة (MTBF) / 3000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	false	false
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	660 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Twinmos Nvme M 2 1Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS توينموس

الميزة	Twinmos Nvme M 2 1Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	false	false
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nm620 Nvme M2 512Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS ليكسار

الميزة	Lexar Nm620 Nvme M2 512Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 250 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	false	false
الحجم والأبعاد	-	2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	9 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS بي إن واي

الميزة	Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 3115 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	6.6 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايتمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS سامسونغ

الميزة	Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	940 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الحجم والأبعاد	-	2.3 * 22 * 42 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	3.9 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS كورسير

الميزة	Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	12400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	11800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	Windows 10, 11 / macOS X
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	false	false
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	11 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Team Group T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايتمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS إم جي

الميزة	Team Group T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الحجم والأبعاد	-	14.1 * 24.3 * 83.9 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	42 جرام (g)
محتويات العلبة	-	سائل تبريد

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Twinmos Nvme M2 512Gbمع Western Digital Blue Sn570 Nvme M2 500Gb

توينموس VS بلو

الميزة	Twinmos Nvme M2 512Gb	Western Digital Blue Sn570 Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTTF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	false	false
استهلاك الطاقة	-
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	6.5 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة