صفحة 8 من المقارنة TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Fujitsu S26361-F4522-L321 internal solid state driveمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Fujitsu S26361-F4522-L321 internal solid state drive

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سعة الذاكرة 320 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش MLC
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات RoHS
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي فوجيتسو PY-SS38NNHمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

محرك أقراص صلبة داخلي فوجيتسو PY-SS38NNH

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سعة الذاكرة 3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
الحجم والأبعاد 2.5" (70.1 * 100.5 * 15 mm) -
وزن المنتج 165 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة مع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال PCIe Gen4 NVMe -
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد M.2 2280 -
محتويات العلبة ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي فوجيتسو S26361-F4581-L100مع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

محرك أقراص صلبة داخلي فوجيتسو S26361-F4581-L100

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سعة الذاكرة 100 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش MLC
الحجم والأبعاد 2.5" -
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات RoHS
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي CoreParts P3-1TBTمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

محرك أقراص صلبة داخلي CoreParts P3-1TBT

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
الحجم والأبعاد 2.5" (7 * 100 * 1.5 mm) -
وزن المنتج 50 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كوربارتس SSDM1TI359 SSD داخليمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

كوربارتس SSDM1TI359 SSD داخلي

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سعة الذاكرة 1 TB
وزن المنتج 100 g -
الحجم والأبعاد 120 * 40 * 100 mm -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 980 PROمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

اس اس دي داخلي سامسونج 980 PRO

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 7000 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V 3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 2.38 * 22.1 mm) -
وزن المنتج 9 g -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي لينوفو 4XB1K26774مع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

قرص صلب داخلي لينوفو 4XB1K26774

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سعة الذاكرة 512 GB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 85 °C
الحجم والأبعاد M.2 (42 * 22 * 2.38 mm) -
وزن المنتج 3.9 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17072مع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17072

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سعة الذاكرة 240 GB
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 44000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 15500 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الحجم والأبعاد 2.5" -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص Lenovo 00XK733 SSD داخليمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

محرك أقراص Lenovo 00XK733 SSD داخلي

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سعة الذاكرة 128 GB
الحجم والأبعاد 2.5" (7 mm kalınlık) -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايتمع وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي فيرباتيم Vi560 S3 M.2 بسعة 1 تيرابايت

الميزة

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي فيرباتيم Vi560 S3 M.2 بسعة 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s) 490 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 102000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 102000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الأنظمة المتوافقة Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة -
الشهادات والتصديقات RoHS
مؤشر الحالة LED false -
الحجم والأبعاد - M.2 (80 * 22 * 2.3 mm)
وزن المنتج - 9 g
تقنية التشفير - No

مقارنة قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17126مع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17126

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 510 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 85000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 56000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) -
وزن المنتج 70 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false