صفحة 14 من المقارنة TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي كينغستون DC600ME ساتا للمؤسسات 2.5 بوصة سعة 1.92 تيرابايت للاستخدام المختلطمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة	محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي كينغستون DC600ME ساتا للمؤسسات 2.5 بوصة سعة 1.92 تيرابايت للاستخدام المختلط	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
سعة الذاكرة	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	94000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	78000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	3504	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm)	-
وزن المنتج	69 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي كينغستون DC600ME ساتا للمؤسسات 2.5 بوصة سعة 7.68 تيرابايت للاستخدام المختلطمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

كينغستون VS توينموس

الميزة	محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي كينغستون DC600ME ساتا للمؤسسات 2.5 بوصة سعة 7.68 تيرابايت للاستخدام المختلط	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
سعة الذاكرة	7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	94000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	34000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	14016	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm)	-
وزن المنتج	71 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي سامسونج 980مع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سامسونج VS توينموس

الميزة	وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي سامسونج 980	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
سعة الذاكرة	500 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND
سرعة القراءة التسلسلية	3100 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	400000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	470000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	8 g	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVOمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سامسونج VS توينموس

الميزة	محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1900 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	360000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	8 g	-
خيارات الألوان	Siyah	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج PM1643Aمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سامسونج VS توينموس

الميزة	اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
سعة الذاكرة	960 GB
سرعة القراءة التسلسلية	2100 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1000 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الحجم والأبعاد	2.5"	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893مع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سامسونج VS توينموس

الميزة	محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
تقنية التشفير	256-bit AES	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	5 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)	-
وزن المنتج	70 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

لينوفو VS توينموس

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
سعة الذاكرة	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	31000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	-
وزن المنتج	70 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت GP-AG41TBمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

جيجابايت VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت GP-AG41TB	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	750000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	700000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	850	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.5 * 23.5 * 11.4 mm)	-
تقنية التشفير	No	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي ديل 400-AMBUمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

ديل VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي ديل 400-AMBU	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
سعة الذاكرة	3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	MLC
الحجم والأبعاد	2.5"	-
خيارات الألوان	Gri	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 960 جيجابايت MZ7L3960HCJR-00A07مع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سامسونج VS توينموس

الميزة	محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 960 جيجابايت MZ7L3960HCJR-00A07	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
سعة الذاكرة	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الحجم والأبعاد	2.5"	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	No	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893مع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سامسونج VS توينموس

الميزة	محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
تقنية التشفير	256-bit AES	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	5 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)	-
وزن المنتج	70 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج PM871bمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سامسونج VS توينموس

الميزة	اس اس دي داخلي سامسونج PM871b	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
سعة الذاكرة	128 GB
سرعة القراءة التسلسلية	540 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	68000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	80000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5"	-
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة