صفحة 12 من المقارنة TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي Kingston Technology SSDNow V300مع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

قرص صلب داخلي Kingston Technology SSDNow V300

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سعة الذاكرة 240 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش MLC
سرعة القراءة التسلسلية 450 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 450 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 85000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 43000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 128 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100.1 * 69.8 * 7 mm) -
وزن المنتج 86 g -
خيارات الألوان Siyah -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون تكنولوجي SSDNow KC400مع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون تكنولوجي SSDNow KC400

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

تقنية التشفير Not supported -
دعم S.M.A.R.T true true
سعة الذاكرة 512 GB
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 86000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 0.87 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100.1 * 7 * 69.9 mm) -
وزن المنتج 60 g -
خيارات الألوان Gri -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي Dell 400-BLCKمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

محرك أقراص صلبة داخلي Dell 400-BLCK

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سعة الذاكرة 480 GB
الحجم والأبعاد M.2 -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893مع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

تقنية التشفير 256-bit AES -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 5 V 3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) -
وزن المنتج 70 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برومع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 7450 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6900 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V 3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 2.3 * 22 mm) -
وزن المنتج 9 g -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة لينوفو 4XB7A82259 SSD داخليمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

لينوفو 4XB7A82259 SSD داخلي

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سعة الذاكرة 480 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 95000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 37000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 3000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) -
وزن المنتج 70 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0مع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 5 V 3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm) -
وزن المنتج 57 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Dell 345-BDRK SSD داخليمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Dell 345-BDRK SSD داخلي

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سعة الذاكرة 960 GB
الحجم والأبعاد 2.5" -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي ADATA Premier Pro SP300مع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

محرك أقراص صلبة داخلي ADATA Premier Pro SP300

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سعة الذاكرة 32 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش MLC
سرعة القراءة التسلسلية 280 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 260 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 46000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1200000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
وحدة التحكم LSI SandForce SF-2141
الحجم والأبعاد mSATA (30 * 51 * 4 mm) -
وزن المنتج 7 g -
خيارات الألوان Multicolour -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA II
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true -
دعم NCQ true true
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Kingston Technology 500G NV3 M.2 2280 NVMe SSDمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Kingston Technology 500G NV3 M.2 2280 NVMe SSD

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سعة الذاكرة 500 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 160 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) -
وزن المنتج 5.7 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Kingston Technology 4000G RENEGADE PCIe 4.0 NVMe SSD W/ HEATSINKمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Kingston Technology 4000G RENEGADE PCIe 4.0 NVMe SSD W/ HEATSINK

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1800000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (23.7 * 80 * 10.5 mm) -
وزن المنتج 34.2 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي HP Turbo Drive G2 TLC 512GBمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

محرك أقراص صلبة داخلي HP Turbo Drive G2 TLC 512GB

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سعة الذاكرة 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
سرعة القراءة التسلسلية 2600 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 3.73 mm) -
وزن المنتج 8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false