مقارنة TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Transcend SSD370S SATA 2.5 بوصة بسعة 256 جيجابايتمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Transcend SSD370S SATA 2.5 بوصة بسعة 256 جيجابايت

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 740 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true true
دعم TRIM true -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.31 والإصدارات الأحدث Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 57 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false

مقارنة TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايتمع Western Digital Blue Wds400T2B0A Sata 25 Inch 4Tb

الميزة

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

Western Digital Blue Wds400T2B0A Sata 25 Inch 4Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
دعم NCQ true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات
مؤشر الحالة LED false false
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - false
الحجم والأبعاد - 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 57.9 جرام (g)

مقارنة Samsung 870 Qvo Sata 2 5 Inch 4Tbمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Samsung 870 Qvo Sata 2 5 Inch 4Tb

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1,440 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 46 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 512Gbمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm800 Nvme M2 512Gb

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم TRIM false -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Kingmax Smv Sata 2 5 Inch 120Gbمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Kingmax Smv Sata 2 5 Inch 120Gb

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 350 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 60 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ true true
دعم TRIM true -
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد 7 * 69.9 * 100.5 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 71 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
سعة الذاكرة -
وحدة التحكم -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Hp 717965 B21 120Gbمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Hp 717965 B21 120Gb

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 410 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 130 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 75 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 9 واط في الوضع النشط -
دعم NCQ true true
دعم TRIM true -
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد السماكة 15 مم -
وزن المنتج 226.8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

مقارنة Aigo S500 Sata 25 Inch 512Gbمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Aigo S500 Sata 25 Inch 512Gb

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 40 درجة مئوية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 256 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم TRIM true -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد 6.9 * 70.2 * 100.5 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 48 جرام (g) -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايتمع Western Digital Green Wds240G2G0B M2 240Gb

الميزة

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

Western Digital Green Wds240G2G0B M2 240Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 جيجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s) 465 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,000,000 (MTTF) ساعة (h)
دعم NCQ true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الأنظمة المتوافقة Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات
مؤشر الحالة LED false false
استهلاك الطاقة - 0.08 واط في الوضع المتوسط / 2.8 واط في وضع القراءة / 2.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد / 0.01 واط في وضع DevSlp
دعم TRIM - false
الحجم والأبعاد - 1.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 6.51 جرام (g)

مقارنة Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gbمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1150 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 110 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM false -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية خوارزمية تصحيح الخطأ المتقدمة LDPC ECC / حماية البيانات من طرف إلى طرف (E2E) أثناء النقل / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Lexar Nm700 Nvme M2 1Tbمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm700 Nvme M2 1Tb

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم TRIM false -
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500Gمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 5.900 واط في وضع القراءة / 4500 واط في وضع الكتابة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true -
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Patriot Burst Sata 2 5 Inch 960Gbمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Patriot Burst Sata 2 5 Inch 960Gb

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 835 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم TRIM true -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إدارة استهلاك الطاقة إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 78.6 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث