صفحة 10 من المقارنة Twinmos Nvme M2 128Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Twinmos Nvme M2 128Gb

الميزة

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

Twinmos Nvme M2 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1655 (TBW) تيرابايت (tb) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)

مقارنة Team Group T-Force CARDEA II NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايتمع Twinmos Nvme M2 128Gb

الميزة

Team Group T-Force CARDEA II NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

Twinmos Nvme M2 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد 12.9 * 23.4 * 80.1 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 45 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Silicon Power Velox V55 SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Twinmos Nvme M2 128Gb

الميزة

Silicon Power Velox V55 SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

Twinmos Nvme M2 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 420 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true true
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 63 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 1.92 تيرابايتمع Twinmos Nvme M2 128Gb

الميزة

Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 1.92 تيرابايت

Twinmos Nvme M2 128Gb

نوع استخدام الذاكرة خارجي داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
نوع الاتصال Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2 -
سعة الذاكرة 1.92 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الأنظمة المتوافقة Windows 7 والإصدارات الأحدث / Mac OS الإصدار 10.3 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 6 والإصدارات الأحدث Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات
مادة الهيكل بلاستيك -
الحجم والأبعاد 11.2 * 80 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 46 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
محتويات العلبة كابل USB Type-C إلى USB Type-A -
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

مقارنة Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Twinmos Nvme M2 128Gb

الميزة

Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

Twinmos Nvme M2 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 1,660 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 6 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Team Group MP33 NVMe M.2 بسعة 128 جيجابايتمع Twinmos Nvme M2 128Gb

الميزة

Team Group MP33 NVMe M.2 بسعة 128 جيجابايت

Twinmos Nvme M2 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 75 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 6 جرام (g) -
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايتمع Twinmos Nvme M2 128Gb

الميزة

Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

Twinmos Nvme M2 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 850 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 380 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 6 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Team Group L3 EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايتمع Twinmos Nvme M2 128Gb

الميزة

Team Group L3 EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت

Twinmos Nvme M2 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 470 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 ساعة (MTBF) / 60 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.4 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 115 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Truebyte PRO بسعة 120 جيجابايتمع Twinmos Nvme M2 128Gb

الميزة

Truebyte PRO بسعة 120 جيجابايت

Twinmos Nvme M2 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 440 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
دعم NCQ true true
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مادة الهيكل معدن -
خيارات الألوان أسود، ذهبي -
مؤشر الحالة LED false -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايتمع Twinmos Nvme M2 128Gb

الميزة

Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

Twinmos Nvme M2 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false -
وحدة التحكم -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Twinmos Nvme M2 128Gbمع TwinMOS SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت

الميزة

Twinmos Nvme M2 128Gb

TwinMOS SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد - 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 10 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tbمع Twinmos Nvme M2 128Gb

الميزة

Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tb

Twinmos Nvme M2 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTTF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 9 * 95 * 125 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 70 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة