صفحة 8 من المقارنة Twinmos Nvme M 2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 860 Pro 1Tbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

الميزة	Samsung 860 Pro 1Tb	Twinmos Nvme M 2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	100 x 69.8 x 6.8 مم	-
وزن المنتج	60 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Legend 740 Nvme M2 250Gbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

أدا VS توينموس

الميزة	Adata Legend 740 Nvme M2 250Gb	Twinmos Nvme M 2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	3.13 × 22 × 80 مم مع مبدد حراري / 2.15 × 22 × 80 مم بدون مبدد حراري	-
وزن المنتج	9 جرام مع المشتت الحراري ** 6.2 جرام بدون المشتت الحراري	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Kingspec P3 512Gbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

كينغسبيك VS توينموس

الميزة	Kingspec P3 512Gb	Twinmos Nvme M 2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	570 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTBF) / 349 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	1.4 واط في الوضع النشط	-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد	7 * 70 * 100.4 مليمتر (mm)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Kingspec Nt M2 2280 512Gbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

كينغسبيك VS توينموس

الميزة	Kingspec Nt M2 2280 512Gb	Twinmos Nvme M 2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTBF) / 349 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung T5 Evo Usb 32 Gen 1 8Tbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung T5 Evo Usb 32 Gen 1 8Tb	Twinmos Nvme M 2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	خارجي	داخلي
نوع الاتصال	Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.2 Gen 1	-
سعة الذاكرة	8 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	460 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	460 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير		-
الأنظمة المتوافقة		Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	متوافق مع برنامج Samsung Magician / دعم وضع UASP	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	17 * 40 * 95 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	102 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	true	false
محتويات العلبة	كابل Type C إلى Type C / دليل المستخدم	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung T5 Usb 31 25 Inch 500Gbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung T5 Usb 31 25 Inch 500Gb	Twinmos Nvme M 2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	خارجي	داخلي
نوع الاتصال	Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.1 Gen 2	-
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير		-
الأنظمة المتوافقة	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / macOS X الإصدار 10.9 والإصدارات الأحدث / Android 4.4 والإصدارات الأحدث	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	دعم UASP / برنامج Samsung Portable SSD	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات
مادة الهيكل	بلاستيك	-
خيارات الألوان	أزرق، أحمر، ذهبي	-
الحجم والأبعاد	10.5 * 57.3 * 74 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	51 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	true	false
محتويات العلبة	كابل USB Type C إلى USB Type A / كابل USB Type C إلى USB Type C / دليل المستخدم	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Kodak X250S Sata M2 1Tbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

كوداك VS توينموس

الميزة	Kodak X250S Sata M2 1Tb	Twinmos Nvme M 2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / محسن استهلاك الطاقة	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb	Twinmos Nvme M 2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Twinmos Nvme M 2 1Tbمع فيكومان VC500 SATA 2.5 بوصة سعة 256 جيجابايت

فيكومان VS توينموس

الميزة	Twinmos Nvme M 2 1Tb	فيكومان VC500 SATA 2.5 بوصة سعة 256 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	450 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows (7, 8, 8.1, 10) / macOS / Linux	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	خوارزمية تصحيح الخطأ (ECC) / خاصية Wear Leveling لإطالة عمر الذاكرة / دعم خوارزمية GC للاستخدام الأمثل لمساحة الذاكرة	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد	10 * 70 * 100 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	100 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Twinmos Nvme M 2 1Tbمع X Energy Gold Drive Sata 2 5 Inch 128Gb

إكس إنرجي VS توينموس

الميزة	Twinmos Nvme M 2 1Tb	X Energy Gold Drive Sata 2 5 Inch 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الأنظمة المتوافقة	Windows	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية		إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 250Gbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 250Gb	Twinmos Nvme M 2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	45 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Silicon Power Velox V55 240Gbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

سيلكون باور VS توينموس

الميزة	Silicon Power Velox V55 240Gb	Twinmos Nvme M 2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	450 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	63 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة