صفحة 5 من المقارنة Twinmos Nvme M 2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Twinmos Nvme M 2 1Tbمع X Energy Falcon Sata 25 Inch 120Gb

الميزة

Twinmos Nvme M 2 1Tb

X Energy Falcon Sata 25 Inch 120Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد 7 x 69.85 x 100 مم -
وزن المنتج 35 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
الأنظمة المتوافقة - Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Twinmos Nvme M 2 1Tbمع Western Digital Blue Sn580 Wds100T3B0E Nvme M2 1Tb

الميزة

Twinmos Nvme M 2 1Tb

Western Digital Blue Sn580 Wds100T3B0E Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 4150 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4150 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 85 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 600 (TBW) تيرابايت (tb) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 5.5 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

مقارنة Apacer Ast280 M2 2280 240Gbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

الميزة

Apacer Ast280 M2 2280 240Gb

Twinmos Nvme M 2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 495 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 140 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 1.4 واط في الوضع النشط / 0.3 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ true true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 6.3 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
الأنظمة المتوافقة - Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

مقارنة Kingston Uv500 240Gbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

الميزة

Kingston Uv500 240Gb

Twinmos Nvme M 2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 0.5 واط في المتوسط / 1.17 في وضع القراءة / 2.32 في وضع الكتابة / 0.195 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.1 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 41 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung Pm1653 Sas 25 Inch 192Tbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

الميزة

Samsung Pm1653 Sas 25 Inch 192Tb

Twinmos Nvme M 2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1.92 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 4300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 1Tbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

الميزة

Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

Twinmos Nvme M 2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 4 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 6.6 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

مقارنة Biostar M760 Nvme M2 256Gbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

الميزة

Biostar M760 Nvme M2 256Gb

Twinmos Nvme M 2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 3.3 فولت (v)
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الأنظمة المتوافقة --- يبدأ توافق نظام التشغيل هنا --- Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية حماية شاملة للبيانات (E2E) إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 25 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung 860 Pro 1Tbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

الميزة

Samsung 860 Pro 1Tb

Twinmos Nvme M 2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم -
وزن المنتج 60 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Adata Legend 740 Nvme M2 250Gbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

الميزة

Adata Legend 740 Nvme M2 250Gb

Twinmos Nvme M 2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 3.13 × 22 × 80 مم مع مبدد حراري / 2.15 × 22 × 80 مم بدون مبدد حراري -
وزن المنتج 9 جرام مع المشتت الحراري ** 6.2 جرام بدون المشتت الحراري -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث

مقارنة Kingspec P3 512Gbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

الميزة

Kingspec P3 512Gb

Twinmos Nvme M 2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 580 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 570 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 ساعة (MTBF) / 349 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 1.4 واط في الوضع النشط -
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد 7 * 70 * 100.4 مليمتر (mm) -
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Kingspec Nt M2 2280 512Gbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

الميزة

Kingspec Nt M2 2280 512Gb

Twinmos Nvme M 2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 580 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 ساعة (MTBF) / 349 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
الأنظمة المتوافقة - Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung T5 Evo Usb 32 Gen 1 8Tbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

الميزة

Samsung T5 Evo Usb 32 Gen 1 8Tb

Twinmos Nvme M 2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة خارجي داخلي
نوع الاتصال Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.2 Gen 1 -
سعة الذاكرة 8 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 460 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 460 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية متوافق مع برنامج Samsung Magician / دعم وضع UASP إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 17 * 40 * 95 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 102 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED true false
محتويات العلبة كابل Type C إلى Type C / دليل المستخدم -
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)