صفحة 6 من المقارنة Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Adata Xpg Sx900 128Gbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

الميزة

Adata Xpg Sx900 128Gb

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 0.8 واط في الوضع النشط / 0.4 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / macOS / Linux -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 68 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول

مقارنة Sabrent Rocket Q NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

الميزة

Sabrent Rocket Q NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 260 (TBW) تيرابايت (tb) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 10 * 80 * 100 مليمتر (mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول

مقارنة Samsung 850 Evo 500Gbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

الميزة

Samsung 850 Evo 500Gb

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 54.4 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول

مقارنة Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gbمع Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb

الميزة

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s) 525 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
استهلاك الطاقة -
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 37.4 جرام (g)

مقارنة Pny Cs3040 Nvme M2 4Tbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

الميزة

Pny Cs3040 Nvme M2 4Tb

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM true false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 6800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة Windows 7 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 4 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6.6 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)

مقارنة Samsung 960 Evo 1Tbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

الميزة

Samsung 960 Evo 1Tb

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول

مقارنة Samsung 960 Evo 250Gbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

الميزة

Samsung 960 Evo 250Gb

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.7 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول

مقارنة Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

الميزة

Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 100 x 69.85 x 6.8 مم 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 62 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول

مقارنة Kingspec Nt M2 2280 512Gbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

الميزة

Kingspec Nt M2 2280 512Gb

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 580 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 ساعة (MTBF) / 349 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ true true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول

مقارنة Samsung 960 Pro 1Tbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

الميزة

Samsung 960 Pro 1Tb

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8.5 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول

مقارنة Kingspec Mt Msata 512Gbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

الميزة

Kingspec Mt Msata 512Gb

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 580 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -20 إلى 70 درجة مئوية 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 698 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ true true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الحجم والأبعاد 3.5 * 30 * 50.8 مليمتر (mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 41 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -

مقارنة Adata Xpg Sx900 256Gbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

الميزة

Adata Xpg Sx900 256Gb

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 0.8 واط في الوضع النشط / 0.4 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / macOS / Linux -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 68 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول