صفحة 6 من المقارنة Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 860 Evo 1Tbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

الميزة	Samsung 860 Evo 1Tb	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الأنظمة المتوافقة	Windows XP Service Pack 2 والإصدارات الأحدث / Windows Server 2003 Service Pack 2 والإصدارات الأحدث	-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.8 * 100 مليمتر (mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	86 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gbمع Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb

توينموس VS بلو

الميزة	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb	Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)	525 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
استهلاك الطاقة	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	37.4 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 2Tbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

كروشيال VS توينموس

الميزة	Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 2Tb	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTTF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	9 * 95 * 125 مليمتر (mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	70 جرام (g)	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 960 Pro 1Tbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung 960 Pro 1Tb	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8.5 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 960 Pro 2Tbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung 960 Pro 2Tb	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

سيغيت VS توينموس

الميزة	Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 1275 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	6.5 واط في الوضع النشط / 0.016 واط في وضع الخمول	-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	47 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	46 جرام (g)	-
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs3040 Nvme M2 2Tbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

بي إن واي VS توينموس

الميزة	Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	true	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 3600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الأنظمة المتوافقة	Windows 7 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 960 Evo 1Tbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung 960 Evo 1Tb	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 970 Evo 250Gbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung 970 Evo 250Gb	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

سيغيت VS توينموس

الميزة	Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7250 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 5100 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	47 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs3140 Nvme M2 2Tbمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

بي إن واي VS توينموس

الميزة	Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6850 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	true	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الأنظمة المتوافقة	Windows 7 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	20.5 x 22.8 x 80.4 مم (مع غطاء حراري) / 4 x 22 x 80 مم (بدون غطاء حراري)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	مع غطاء حراري: 45 غ / بدون غطاء حراري: 6.6 غ	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)

عرض تفاصيل المقارنة