صفحة 2 من المقارنة Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

الميزة

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 250
دعم NCQ true -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول -
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 8 g
تقنية التشفير - Yes

مقارنة مع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

الميزة

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

نوع استخدام الذاكرة SSD داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe
نوع الاتصال M.2 NVMe PCIe 4.0 -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM نعم false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية 0 إلى 70 درجة مئوية
مواصفات ذاكرة الفلاش Samsung V-NAND
وحدة التحكم Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية -
العمر الافتراضي المتوسط غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ نعم true
دعم TRIM نعم true
دعم S.M.A.R.T نعم true
الأنظمة المتوافقة Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe) -
الميزات الإضافية برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5 إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
تقنية التشفير تشفير AES 256 بت -
خيارات الألوان أسود -
الحجم والأبعاد M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج تقريبًا 8.0 جرام -
محتويات العلبة SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

الميزة

SSD داخلي ديل 345-BBCZ

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 3.84 TB
الحجم والأبعاد 2.5" 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخليمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

الميزة

محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D cMLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 245000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 110 * 2 mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 14 g -
خيارات الألوان Black, Green -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخليمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

الميزة

Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1800000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 40 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات RoHS -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة مع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

الميزة

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

نوع استخدام الذاكرة محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4
نوع الاتصال NVMe Gen3x4 -
سعة الذاكرة 512 جيجابايت
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
دعم TRIM نعم true
دعم S.M.A.R.T نعم true
الأنظمة المتوافقة Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
الميزات الإضافية تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الحجم والأبعاد M.2 2280 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة SSD، وثائق -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سرعة الكتابة التسلسلية - 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايتمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14700 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.7 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي سيجيت Nytro 5350Sمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

الميزة

SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 7200 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1700000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 195000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 12 V 3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 205 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

الميزة

محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4800 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 560000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 615000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1400 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 10 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

الميزة

لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 81000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايتمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

الميزة

iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 7200 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6500 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 mm * 80 mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 14 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED - false