مقارنة Silicon Power V55 480Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة SSD داخلي سامسونج PM981 NVMeمع Silicon Power V55 480Gb

الميزة

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

Silicon Power V55 480Gb

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2400 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 380000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 440000 IOPS -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 63 جرام (g)
خيارات الألوان Black, Green -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00مع Silicon Power V55 480Gb

الميزة

قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

Silicon Power V55 480Gb

سعة الذاكرة 240 GB
سرعة القراءة التسلسلية 450 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 360 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الجهد التشغيلي 5 V -
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 7 * 70 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 38.2 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخليمع Silicon Power V55 480Gb

الميزة

محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

Silicon Power V55 480Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D cMLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 245000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 110 * 2 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 14 g 63 جرام (g)
خيارات الألوان Black, Green -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايتمع Silicon Power V55 480Gb

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت

Silicon Power V55 480Gb

سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14700 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.7 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع Silicon Power V55 480Gb

الميزة

لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

Silicon Power V55 480Gb

سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 81000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Silicon Power V55 480Gb

الميزة

كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Silicon Power V55 480Gb

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2800000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 500000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 151.3 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع Silicon Power V55 480Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

Silicon Power V55 480Gb

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخليمع Silicon Power V55 480Gb

الميزة

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

Silicon Power V55 480Gb

سعة الذاكرة 3.84 TB
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 58 g 63 جرام (g)
خيارات الألوان Siyah -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخليمع Silicon Power V55 480Gb

الميزة

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

Silicon Power V55 480Gb

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 540 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1400 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 50 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Silicon Power V55 480Gb

الميزة

سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

Silicon Power V55 480Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4200 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
الشهادات والتصديقات Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Silicon Power V55 480Gb

الميزة

سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

Silicon Power V55 480Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3400 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 63 جرام (g)
خيارات الألوان Siyah -
الشهادات والتصديقات RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع Silicon Power V55 480Gb

الميزة

SSD داخلي ديل 345-BBCZ

Silicon Power V55 480Gb

سعة الذاكرة 3.84 TB
الحجم والأبعاد 2.5" 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false