صفحة 16 من المقارنة Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gbمع Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

الميزة

Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb

Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 530 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 1480 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث -
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.3 × 22 × 80 مم (بدون مبدد حراري) / 4.3 × 22 × 80 مم (مع مبدد حراري)
وزن المنتج 8 جرام (g) 7 جرام (بدون المشتت الحراري) ** 10 جرام (مع المشتت الحراري)
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gbمع Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

الميزة

Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb

Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 530 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -

مقارنة Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tbمع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

الميزة

Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 530 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID true true
دعم S.M.A.R.T false false
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث -
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 11 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
استهلاك الطاقة - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد

مقارنة Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gbمع Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

الميزة

Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb

Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 530 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 370 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true true
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث -
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 4.3 × 22 × 80 مم (مع مبدد حراري) / 3.3 × 22 × 80 مم (بدون مبدد حراري)
وزن المنتج 8 جرام (g) 10 جرام (مع المشتت الحراري) ** 6 جرام (بدون المشتت الحراري)
مؤشر الحالة LED false false
استهلاك الطاقة - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع السكون (Slumber)

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gbمع Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 530 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة - 5.5 واط في وضع القراءة / 5.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
الميزات الإضافية -

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 530 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
الميزات الإضافية -

مقارنة Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gbمع Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

الميزة

Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 530 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID true true
دعم S.M.A.R.T false false
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث -
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
استهلاك الطاقة -

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbمع Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 530 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -

مقارنة Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gbمع Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

الميزة

Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb

Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 530 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false false
تقنية التشفير
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث -
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 13.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
استهلاك الطاقة - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
الميزات الإضافية -

مقارنة Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gbمع Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

الميزة

Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 530 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -

مقارنة Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tbمع Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

الميزة

Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb

Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 530 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -

مقارنة Samsung 980 Nvme M2 1Tbمع Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

الميزة

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Silicon Power Ud70 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 530 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث -
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -