مقارنة Silicon Power Slim S55 960Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع Silicon Power Slim S55 960Gb

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت

Silicon Power Slim S55 960Gb

سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14800 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.7 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخليمع Silicon Power Slim S55 960Gb

الميزة

Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي

Silicon Power Slim S55 960Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 7200 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6300 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 925000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 974000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7 g 63 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخليمع Silicon Power Slim S55 960Gb

الميزة

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

Silicon Power Slim S55 960Gb

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 540 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1400 1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 50 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع Silicon Power Slim S55 960Gb

الميزة

كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

Silicon Power Slim S55 960Gb

سعة الذاكرة 500 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 160 1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.6 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Silicon Power Slim S55 960Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Silicon Power Slim S55 960Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Silicon Power Slim S55 960Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Silicon Power Slim S55 960Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Silicon Power Slim S55 960Gb

الميزة

كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Silicon Power Slim S55 960Gb

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5800 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2700000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 300000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 146.2 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Silicon Power Slim S55 960Gb

الميزة

كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Silicon Power Slim S55 960Gb

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2800000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 500000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 151.3 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Silicon Power Slim S55 960Gb

الميزة

سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

Silicon Power Slim S55 960Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4200 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
الشهادات والتصديقات Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع Silicon Power Slim S55 960Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سيلكون باور
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI818

Silicon Power Slim S55 960Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4700 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1200 1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V 5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 63 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخليمع Silicon Power Slim S55 960Gb

الميزة

Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

Silicon Power Slim S55 960Gb

سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1800000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 40 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات RoHS -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Silicon Power Slim S55 960Gbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

الميزة

Silicon Power Slim S55 960Gb

محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
ذاكرة DRAM false -
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW) 250
دعم NCQ true -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
وزن المنتج 63 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
تقنية التشفير - Yes