صفحة 2 من المقارنة Silicon Power S60 60Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة مع Silicon Power S60 60Gb

الميزة

Silicon Power S60 60Gb

نوع استخدام الذاكرة محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4
نوع الاتصال NVMe Gen3x4 -
سعة الذاكرة 512 جيجابايت
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة -
دعم TRIM نعم true
دعم S.M.A.R.T نعم true
الأنظمة المتوافقة Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
الميزات الإضافية تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
الحجم والأبعاد M.2 2280 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
محتويات العلبة SSD، وثائق -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280 2.5 بوصة
سرعة الكتابة التسلسلية - 490 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTTF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 60 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع Silicon Power S60 60Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661

Silicon Power S60 60Gb

سعة الذاكرة 512 GB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6.5 g 60 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية - 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 490 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTTF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايتمع Silicon Power S60 60Gb

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت

Silicon Power S60 60Gb

سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14700 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 490 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTTF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.7 g 60 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة مع Silicon Power S60 60Gb

الميزة

Silicon Power S60 60Gb

نوع استخدام الذاكرة ذاكرة فلاش NAND داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
نوع الاتصال NVMe -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية 7150 ميجابايت/ثانية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم وحدة تحكم مطلية بالنيكل -
الأنظمة المتوافقة كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة -
الميزات الإضافية تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد M.2 2280 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
محتويات العلبة SSD (MZ-V9S1T0B/AM) -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280 2.5 بوصة
استهلاك الطاقة فعال -
سرعة الكتابة التسلسلية - 490 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTTF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 60 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)مع Silicon Power S60 60Gb

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

Silicon Power S60 60Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 490 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTTF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 5 V 5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g 60 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00مع Silicon Power S60 60Gb

الميزة

قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

Silicon Power S60 60Gb

سعة الذاكرة 240 GB
سرعة القراءة التسلسلية 450 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 360 MB/s 490 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الجهد التشغيلي 5 V 5 فولت (v)
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 7 * 70 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 38.2 g 60 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTTF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Silicon Power S60 60Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سيلكون باور
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

Silicon Power S60 60Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 490 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 1,500,000 (MTTF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 3.3 V 5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6 g 60 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع Silicon Power S60 60Gb

الميزة

لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

Silicon Power S60 60Gb

سعة الذاكرة 512 GB
سرعة القراءة التسلسلية 6900 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4400 MB/s 490 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.2 g 60 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTTF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخليمع Silicon Power S60 60Gb

الميزة

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

Silicon Power S60 60Gb

سعة الذاكرة 3.84 TB
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 490 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 58 g 60 جرام (g)
خيارات الألوان Siyah -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTTF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Silicon Power S60 60Gb

الميزة

كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Silicon Power S60 60Gb

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5800 MB/s 490 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2700000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 300000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTTF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 146.2 g 60 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة مع Silicon Power S60 60Gb

الميزة

Silicon Power S60 60Gb

نوع استخدام الذاكرة SSD داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe
نوع الاتصال M.2 NVMe PCIe 4.0 -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية 490 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM نعم false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية -
مواصفات ذاكرة الفلاش Samsung V-NAND
وحدة التحكم Samsung Elpis Controller -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية -
العمر الافتراضي المتوسط غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية) 1,500,000 (MTTF) ساعة (h)
دعم NCQ نعم true
دعم TRIM نعم true
دعم S.M.A.R.T نعم true
الأنظمة المتوافقة Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe) -
الميزات الإضافية برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
تقنية التشفير تشفير AES 256 بت -
خيارات الألوان أسود -
الحجم والأبعاد M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج تقريبًا 8.0 جرام 60 جرام (g)
محتويات العلبة SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280 2.5 بوصة
استهلاك الطاقة أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم RAID - true
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Silicon Power S60 60Gb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

Silicon Power S60 60Gb

سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 490 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 640 1,500,000 (MTTF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.8 g 60 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false