صفحة 7 من المقارنة Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung PM893 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايتمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

Samsung PM893 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 70 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung 860EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 4 تيرابايتمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

Samsung 860EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 4 تيرابايت

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 2,400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID true true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 86 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايتمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID true true
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / برنامج SP Toolbox -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gbمع Team Group T-Force CARDEA II NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

Team Group T-Force CARDEA II NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 12.9 * 23.4 * 80.1 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 45 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)

مقارنة Samsung 960 Pro 1Tbمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

Samsung 960 Pro 1Tb

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8.5 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gbمع Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.31 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.58 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية - خوارزمية تصحيح الخطأ (ECC) / خوارزمية LDPC المتقدمة لتصحيح الأخطاء / دعم خوارزمية GC للاستخدام الأمثل لمساحة الذاكرة / برنامج Transcend SSD Scope

مقارنة Samsung 860 Pro 512Gbمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

Samsung 860 Pro 512Gb

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 51 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gbمع Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 240 جيجابايت

الميزة

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 240 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true false
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث Windows 7 والإصدارات الأحدث / Mac OS الإصدار 10.3 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 6 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 11.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 46 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2
مادة الهيكل - بلاستيك
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-A

مقارنة Samsung PM883 SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايتمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

Samsung PM883 SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
استهلاك الطاقة 1.3 واط في وضع الخمول / 2.7 واط في الوضع النشط -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية إمكانية التشغيل على مدار 24 ساعة -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة Samsung 970 Evo 250Gbمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

Samsung 970 Evo 250Gb

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 250 جيجابايتمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 250 جيجابايت

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 70 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 45 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gbمع Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 960 جيجابايت

الميزة

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 960 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true false
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث Windows 7 والإصدارات الأحدث / Mac OS الإصدار 10.3 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 6 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 11.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 46 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2
مادة الهيكل - بلاستيك
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-A