صفحة 6 من المقارنة Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Pny Cs3040 Nvme M2 2Tbمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM true false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 3600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID true true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة Windows 7 والإصدارات الأحدث Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox -
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 4 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6.6 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -

مقارنة Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gbمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gb

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 168 (TBW) تيرابايت (tb) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة الكتابة التسلسلية - 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث

مقارنة Kingspec Nt M2 2280 512Gbمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

Kingspec Nt M2 2280 512Gb

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 580 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 ساعة (MTBF) / 349 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gbمع Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb

الميزة

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 525 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث -
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 37.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
استهلاك الطاقة -
الميزات الإضافية -

مقارنة Samsung 960 Evo 250Gbمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

Samsung 960 Evo 250Gb

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.7 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايتمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة Samsung 860 Evo 1Tbمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

Samsung 860 Evo 1Tb

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID true true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة Windows XP Service Pack 2 والإصدارات الأحدث / Windows Server 2003 Service Pack 2 والإصدارات الأحدث Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.8 * 100 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 86 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Pny Cs3140 Nvme M2 2Tbمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6850 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM true false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة Windows 7 والإصدارات الأحدث Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox -
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 20.5 x 22.8 x 80.4 مم (مع غطاء حراري) / 4 x 22 x 80 مم (بدون غطاء حراري) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج مع غطاء حراري: 45 غ / بدون غطاء حراري: 6.6 غ 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -

مقارنة Samsung 960 Pro 2Tbمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

Samsung 960 Pro 2Tb

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Lexar Ns100 512Gbمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

Lexar Ns100 512Gb

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 256 (TBW) تيرابايت (tb) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة الكتابة التسلسلية - 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung 960 Pro 512Gbمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

Samsung 960 Pro 512Gb

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8.3 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tbمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7250 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 5100 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 47 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث