صفحة 4 من المقارنة Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

سعة الذاكرة 2 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 76 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.38 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00مع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

سعة الذاكرة 240 GB
سرعة القراءة التسلسلية 450 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 360 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الجهد التشغيلي 5 V -
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 7 * 70 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 38.2 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخليمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D cMLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 110 * 2 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 14 g 8 جرام (g)
خيارات الألوان Black, Green -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخليمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

سعة الذاكرة 3.84 TB
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 58 g 8 جرام (g)
خيارات الألوان Siyah -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي سيجيت Nytro 5350Sمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

سعة الذاكرة 15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 7200 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 195000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2500000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 12 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 205 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4200 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
الشهادات والتصديقات Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

الميزة

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 250
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4800 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 560000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 615000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1400 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 10 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 640 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.8 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

سعة الذاكرة 1.6 TB
الحجم والأبعاد 2.5" 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1480 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 12 g 8 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايتمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 7200 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6500 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 mm * 80 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 14 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false