صفحة 3 من المقارنة Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
الحجم والأبعاد	PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	8 جرام (g)
محتويات العلبة	HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)مع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

سامسونج VS سيلكون باور

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)	Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	46 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

سامسونج VS سيلكون باور

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)	Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	46 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سيلكون باور

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	8 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سيلكون باور

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI298	Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	600	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6 g	8 جرام (g)
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي سامسونج PM981 NVMeمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

سامسونج VS سيلكون باور

الميزة	SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe	Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2400 MB/s	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	440000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	8 جرام (g)
خيارات الألوان	Black, Green	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايتمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

كينغستون VS سيلكون باور

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت	Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	14200 MB/s	2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	11000 MB/s	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2150000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.3 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

لينوفو VS سيلكون باور

الميزة	لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي	Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb
سعة الذاكرة	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سيلكون باور

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	8 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سيلكون باور

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI818	Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5200 MB/s	2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4700 MB/s	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1200	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	8 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

كينغستون VS سيلكون باور

الميزة	كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 MB/s	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	500000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	151.3 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

كينغستون VS سيلكون باور

الميزة	كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 MB/s	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	300000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	146.2 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة