صفحة 5 من المقارنة Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخليمع Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

الميزة

Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1800000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 40 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات RoHS -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / برنامج SP Toolbox
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 640 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.8 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / برنامج SP Toolbox
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / برنامج SP Toolbox
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايتمع Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت

Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14700 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.7 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / برنامج SP Toolbox
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

الميزة

كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5800 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2700000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 300000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 146.2 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / برنامج SP Toolbox
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 97000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 31000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 70 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / برنامج SP Toolbox
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

علامة تجارية غير معروفة VS سيلكون باور
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI818

Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4700 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1200 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 8 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / برنامج SP Toolbox
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

الميزة

محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4800 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 560000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 615000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1400 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 10 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / برنامج SP Toolbox
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

الميزة

لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 81000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / برنامج SP Toolbox
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايتمع Twinmos Nvme M2 512Gb

الميزة

Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

Twinmos Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ true true
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / برنامج SP Toolbox إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث

مقارنة Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايتمع Silicon Power Slim S55 Sata30 120Gb

الميزة

Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

Silicon Power Slim S55 Sata30 120Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 65 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true true
دعم TRIM true true
دعم RAID true true
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / برنامج SP Toolbox
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)

مقارنة Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايتمع Silicon Power S60 60Gb

الميزة

Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

Silicon Power S60 60Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 490 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 (MTTF) ساعة (h)
دعم NCQ true true
دعم TRIM true true
دعم RAID true true
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / برنامج SP Toolbox
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 60 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
الشهادات والتصديقات -