صفحة 17 من المقارنة Silicon Power Ace A55 512Gb

تم إعداد 4 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tbمع Silicon Power Ace A55 512Gb

الميزة	Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb	Silicon Power Ace A55 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	63 جرام (g)	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 980 Nvme M2 1Tbمع Silicon Power Ace A55 512Gb

سيلكون باور VS سامسونغ

الميزة	Samsung 980 Nvme M2 1Tb	Silicon Power Ace A55 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	63 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nm620 Nvme M2 1Tbمع Silicon Power Ace A55 512Gb

سيلكون باور VS ليكسار

الميزة	Lexar Nm620 Nvme M2 1Tb	Silicon Power Ace A55 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	63 جرام (g)	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 970 Pro M2 1Tbمع Silicon Power Ace A55 512Gb

سيلكون باور VS سامسونغ

الميزة	Samsung 970 Pro M2 1Tb	Silicon Power Ace A55 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		مناسب للألعاب / برنامج Magician Software لـ SSD
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	63 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-	5.2 واط في وضع القراءة / 5.7 واط في وضع الكتابة / 8.5 واط في الوضع الأقصى / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة