صفحة 2 من المقارنة Silicon Power Ace A55 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 850 Evo 500Gbمع Silicon Power Ace A55 1Tb

الميزة

Samsung 850 Evo 500Gb

Silicon Power Ace A55 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 54.4 جرام (g) 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
الميزات الإضافية -

مقارنة Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tbمع Silicon Power Ace A55 1Tb

الميزة

Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb

Silicon Power Ace A55 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7250 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 5100 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 47 جرام (g) 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
الميزات الإضافية -

مقارنة Pny Cs3140 Nvme M2 2Tbمع Silicon Power Ace A55 1Tb

الميزة

Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb

Silicon Power Ace A55 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6850 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM true false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة Windows 7 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 20.5 x 22.8 x 80.4 مم (مع غطاء حراري) / 4 x 22 x 80 مم (بدون غطاء حراري) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج مع غطاء حراري: 45 غ / بدون غطاء حراري: 6.6 غ 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)

مقارنة Adata Xpg Sx900 128Gbمع Silicon Power Ace A55 1Tb

الميزة

Adata Xpg Sx900 128Gb

Silicon Power Ace A55 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 0.8 واط في الوضع النشط / 0.4 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID true true
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / macOS / Linux -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 68 جرام (g) 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
الميزات الإضافية -

مقارنة Samsung 860 Qvo 1Tbمع Silicon Power Ace A55 1Tb

الميزة

Samsung 860 Qvo 1Tb

Silicon Power Ace A55 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 62 جرام (g) 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -

مقارنة Kingspec Mt Msata 512Gbمع Silicon Power Ace A55 1Tb

الميزة

Kingspec Mt Msata 512Gb

Silicon Power Ace A55 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 580 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -20 إلى 70 درجة مئوية -
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 698 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ true true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الحجم والأبعاد 3.5 * 30 * 50.8 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 41 جرام (g) 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false

مقارنة Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tbمع Silicon Power Ace A55 1Tb

الميزة

Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb

Silicon Power Ace A55 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 1275 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 6.5 واط في الوضع النشط / 0.016 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 47 جرام (g) 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
الميزات الإضافية -

مقارنة Kingspec Nt M2 2280 512Gbمع Silicon Power Ace A55 1Tb

الميزة

Kingspec Nt M2 2280 512Gb

Silicon Power Ace A55 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 580 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية -
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 ساعة (MTBF) / 349 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ true true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 63 جرام (g)

مقارنة Lexar Ns100 512Gbمع Silicon Power Ace A55 1Tb

الميزة

Lexar Ns100 512Gb

Silicon Power Ace A55 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 256 (TBW) تيرابايت (tb) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)

مقارنة Samsung 960 Evo 250Gbمع Silicon Power Ace A55 1Tb

الميزة

Samsung 960 Evo 250Gb

Silicon Power Ace A55 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.7 جرام (g) 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
الميزات الإضافية -

مقارنة Sabrent Rocket Q NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Silicon Power Ace A55 1Tb

الميزة

Sabrent Rocket Q NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

Silicon Power Ace A55 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 260 (TBW) تيرابايت (tb) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID true true
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 10 * 80 * 100 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 63 جرام (g)

مقارنة Samsung 960 Evo 1Tbمع Silicon Power Ace A55 1Tb

الميزة

Samsung 960 Evo 1Tb

Silicon Power Ace A55 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
الميزات الإضافية -