صفحة 5 من المقارنة Silicon Power Ace A55 128Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Silicon Power Ace A55 128Gbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

الميزة

Silicon Power Ace A55 128Gb

محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 250
دعم NCQ true -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

Silicon Power Ace A55 128Gb

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)مع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

Silicon Power Ace A55 128Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخليمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

Silicon Power Ace A55 128Gb

سعة الذاكرة 3.84 TB
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 58 g 8 جرام (g)
خيارات الألوان Siyah -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

SSD داخلي ديل 345-BBCZ

Silicon Power Ace A55 128Gb

سعة الذاكرة 3.84 TB
الحجم والأبعاد 2.5" 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

Silicon Power Ace A55 128Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4800 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 560000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 615000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1400 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 10 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخليمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

Silicon Power Ace A55 128Gb

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 47500 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
دعم S.M.A.R.T true true
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tbمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 100 x 69.85 x 6.8 مم 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 62 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox

مقارنة Samsung 960 Evo 250Gbمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

Samsung 960 Evo 250Gb

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.7 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox

مقارنة Samsung 860 Qvo 1Tbمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

Samsung 860 Qvo 1Tb

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 62 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox

مقارنة Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tbمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 جرام (g) 8 جرام (g)
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Adata Premier Pro Sp900 256Gbمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

Adata Premier Pro Sp900 256Gb

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 545 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 535 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 0.9 واط في الوضع النشط / 0.5 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ true true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 68 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox