صفحة 14 من المقارنة Silicon Power Ace A55 128Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tbمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 9.7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Kingspec Mt Msata 64Gbمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

Kingspec Mt Msata 64Gb

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -20 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 87 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true true
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.5 * 30 * 50.8 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 41 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)

مقارنة Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tbمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tb

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 4800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 100 x 69.85 x 6.8 مم
وزن المنتج 8 جرام (g) 62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Adata Premier Pro Sp900 128Gbمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

Adata Premier Pro Sp900 128Gb

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 545 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 535 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ true true
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 68 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
استهلاك الطاقة - 0.9 واط في الوضع النشط / 0.5 واط في وضع الاستعداد

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -

مقارنة Klevv Cras C910 Nvme M2 500Gbمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

Klevv Cras C910 Nvme M2 500Gb

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 350 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox برنامج Acronis True Image HD 2018 / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / دعم ترميز LPDC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.40 x 22 x 80 مم (مع مبدد حراري) / 2.15 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري)
وزن المنتج 8 جرام (g) 10 غ (مع مبدد حراري) / 7 غ (بدون مبدد حراري)
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة Kingspec Nt M2 2280 256Gbمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

Kingspec Nt M2 2280 256Gb

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 174 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true true
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)

مقارنة Samsung 860 Qvo 2Tbمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

Samsung 860 Qvo 2Tb

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Seagate Xbox Series 1Tbمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

Seagate Xbox Series 1Tb

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ true false
دعم TRIM true false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox متوافق مع وحدات تحكم Xbox Series X و S / بنية Xbox Velocity لزيادة سرعة التخزين
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 5 * 76 * 139 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 68 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tbمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tb

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 12400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 11800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 8 جرام (g) 11 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows 10, 11 / macOS X

مقارنة Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tbمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tb

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,800,000 ساعة (MTBF) / 3000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 8 جرام (g) 660 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
تقنية التشفير -

مقارنة Silicon Power Ace A55 128Gbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

الميزة

Silicon Power Ace A55 128Gb

Twinmos Nvme M 2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true true
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -