صفحة 5 من المقارنة محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532$

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532

كينغستون VS سيجيت

الميزة	كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	3.84 TB	800 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	2150 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 MB/s	1300 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2700000 IOPS	210000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	300000 IOPS	120000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	4400
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	2.5" (70.1 * 100.5 * 15 mm)
وزن المنتج	146.2 g	165 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532$

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532

سامسونج VS سيجيت

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	250 GB	800 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	2150 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	1300 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	4400
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	2.5" (70.1 * 100.5 * 15 mm)
وزن المنتج	8 g	165 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	210000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	120000 IOPS
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	No

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532$

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532

لينوفو VS سيجيت

الميزة	لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي	محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532
سعة الذاكرة	960 GB	800 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	3D eTLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	81000 IOPS	210000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS	120000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	4400
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	2.5" (70.1 * 100.5 * 15 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	true	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2150 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1300 MB/s
وزن المنتج	-	165 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661 {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532

لينوفو VS سيجيت

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661	محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532
سعة الذاكرة	512 GB	800 GB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm)	2.5" (70.1 * 100.5 * 15 mm)
وزن المنتج	6.5 g	165 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	2150 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1300 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	210000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	120000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	4400

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532

سامسونج VS سيجيت

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	250 GB	800 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	2150 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	1300 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	4400
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	2.5" (70.1 * 100.5 * 15 mm)
وزن المنتج	8 g	165 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	210000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	120000 IOPS
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	No

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532$

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532

كينغستون VS سيجيت

الميزة	كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	7.68 TB	800 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	2150 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 MB/s	1300 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2800000 IOPS	210000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	500000 IOPS	120000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	4400
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	2.5" (70.1 * 100.5 * 15 mm)
وزن المنتج	151.3 g	165 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZ {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532$

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532

ديل VS سيجيت

الميزة	SSD داخلي ديل 345-BBCZ	محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532
سعة الذاكرة	3.84 TB	800 GB
الحجم والأبعاد	2.5"	2.5" (70.1 * 100.5 * 15 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	No	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	2150 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1300 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	210000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	120000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	4400
وزن المنتج	-	165 g
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	No

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532$

مقارنة Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tbمع محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532

إم إس آي VS سيجيت

الميزة	Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb	محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	800 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D eTLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2150 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1300 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		210000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		120000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 2 جيجابايت	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	4400
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير		-
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.5 * 15 mm)
وزن المنتج	9.7 جرام (g)	165 g
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532$

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532

كينغستون VS سيجيت

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت	محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532
سعة الذاكرة	1 TB	800 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	6000 MB/s	2150 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4000 MB/s	1300 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	320	4400
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	2.5" (70.1 * 100.5 * 15 mm)
وزن المنتج	2.8 g	165 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	210000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	120000 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532$

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532

ديل VS سيجيت

الميزة	محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي	محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532
سعة الذاكرة	1.6 TB	800 GB
الحجم والأبعاد	2.5"	2.5" (70.1 * 100.5 * 15 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	2150 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1300 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	210000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	120000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	4400
وزن المنتج	-	165 g
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	No

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532

سامسونج VS سيجيت

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	250 GB	800 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	2150 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	1300 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	4400
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	2.5" (70.1 * 100.5 * 15 mm)
وزن المنتج	8 g	165 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	210000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	120000 IOPS
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	No

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532$

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tbمع محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532

سامسونغ VS سيجيت

الميزة	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb	محرك أقراص صلبة داخلي سيجيت إنتربرايز نيترو 3532
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	4 تيرابايت (tb)	800 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D eTLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2150 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1300 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		210000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		120000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	4400
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.5 * 15 mm)
وزن المنتج	9 جرام (g)	165 g
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة