صفحة 5 من المقارنة قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت

قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

سعة الذاكرة 4 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14800 MB/s 6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 2700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS 850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS 130000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 7.7 g 90 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 12 V

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

سعة الذاكرة 2 TB 960 GB
سرعة القراءة التسلسلية 2100 MB/s 6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 2700 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 480 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 2.1 mm) 2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 7 g 90 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات CE, RoHS -
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 130000 IOPS
الجهد التشغيلي - 12 V

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3مع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes No
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 960 GB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 6800 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2700 MB/s 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 850000 IOPS 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 130000 IOPS 90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1400
الجهد التشغيلي 12 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 90 g 50 g
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661

قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

سعة الذاكرة 512 GB 960 GB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm) 2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 6.5 g 90 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية - 6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 2700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 130000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
الجهد التشغيلي - 12 V

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 2700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS 130000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2000000 saat
الجهد التشغيلي 5 V 12 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 46 g 90 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

سعة الذاكرة 1.92 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS 850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS 130000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير - Yes
دعم TRIM - true
سرعة القراءة التسلسلية - 6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 2700 MB/s
الجهد التشغيلي - 12 V
وزن المنتج - 90 g

مقارنة Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

الميزة

Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb

قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 130000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية ترميز LPDC / خوارزمية رمز تصحيح الخطأ (ECC) / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات -
الحجم والأبعاد 2.15 x 22 x 80 مم 2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 12 V
وزن المنتج - 90 g

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD

قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

وزن المنتج 164 g 90 g
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm 2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
محتويات العلبة Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة - PCI Express 4.0
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سعة الذاكرة - 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية - 6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 2700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 130000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
الجهد التشغيلي - 12 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

الميزة

محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي

قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

سعة الذاكرة 1.6 TB 960 GB
الحجم والأبعاد 2.5" 2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية - 6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 2700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 130000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
الجهد التشغيلي - 12 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 90 g

مقارنة Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

الميزة

Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 130000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 9.7 جرام (g) 90 g
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 12 V

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 2700 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 700 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 130000 IOPS
الجهد التشغيلي - 12 V
وزن المنتج - 90 g

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

الميزة

كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

تقنية التشفير Yes Yes
سعة الذاكرة 3.84 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 5800 MB/s 2700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2700000 IOPS 850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 300000 IOPS 130000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 146.2 g 90 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 12 V