صفحة 2 من المقارنة Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gbمع

الميزة	Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية	6400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
الميزات الإضافية	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	6400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gbمع

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	ذاكرة فلاش NAND	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
نوع الاتصال	NVMe	-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية	7150 ميجابايت/ثانية	6400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم	وحدة تحكم مطلية بالنيكل
الأنظمة المتوافقة	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة	-
الميزات الإضافية	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0	-
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة	فعال	-
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي سامسونج PM981 NVMeمع Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe	Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	6400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2400 MB/s	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	440000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	-
خيارات الألوان	Black, Green	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت	Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	6000 MB/s	6400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5000 MB/s	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	640	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	2.8 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00مع Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb

فيليبس VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00	Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb
سعة الذاكرة	240 GB
سرعة القراءة التسلسلية	450 MB/s	6400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	360 MB/s	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الجهد التشغيلي	5 V	-
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 70 mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	38.2 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي	Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb
سعة الذاكرة	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	false
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	6400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI298	Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	6400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	600	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6 g	-
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gbمع

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	SSD داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين	PCIe 4.0 x4 NVMe
نوع الاتصال	M.2 NVMe PCIe 4.0	-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية	6400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	نعم	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	Samsung V-NAND
وحدة التحكم	Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
العمر الافتراضي المتوسط	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)	-
دعم NCQ	نعم	false
دعم TRIM	نعم	true
دعم S.M.A.R.T	نعم	false
الأنظمة المتوافقة	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)	-
الميزات الإضافية	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5	-
تقنية التشفير	تشفير AES 256 بت	-
خيارات الألوان	أسود	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	تقريبًا 8.0 جرام	-
محتويات العلبة	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة	أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO	-
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم RAID	-	false
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	6400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2	Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	6400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4200 MB/s	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	600	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
الشهادات والتصديقات	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	Samsung Pm9A1 Nvme M2 256Gb
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	6400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 MB/s	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	500000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	151.3 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة