صفحة 3 من المقارنة Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايتمع Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت

Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14700 MB/s 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 5100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.7 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 1.92 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true false
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 5100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 5100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 5100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 5100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 5100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 5100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500 -
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)مع Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

الميزة

محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 1.92 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 5100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 94000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 78000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 3504 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 69 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 5100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

الميزة

محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي

Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 1.6 TB 1 تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد 2.5" 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 5100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tbمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 5100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الشهادات والتصديقات RoHS
الحجم والأبعاد 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
مؤشر الحالة LED false -
العمر الافتراضي المتوسط - 1800000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 40 g

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

الميزة

لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

Samsung Pm9A1 Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 512 GB 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 6900 MB/s 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4400 MB/s 5100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.2 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false