صفحة 2 من المقارنة Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخليمع Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 3.84 TB
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" -
وزن المنتج 58 g -
خيارات الألوان Siyah -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت

Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14800 MB/s 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) -
وزن المنتج 7.7 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايتمع Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت

Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14700 MB/s 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) -
وزن المنتج 7.7 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 -
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) -
وزن المنتج 6 g -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 240 GB
سرعة القراءة التسلسلية 540 MB/s 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 250 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 78000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 26000 IOPS
الحجم والأبعاد M.2 -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4200 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) -
الشهادات والتصديقات Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخليمع Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي

Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 7200 MB/s 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6300 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 925000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 974000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm) -
وزن المنتج 7 g -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 960 GB
الحجم والأبعاد 2.5" -
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية - 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايتمع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

الميزة

Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 195000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
مؤشر الحالة LED false -
العمر الافتراضي المتوسط - 2500000 saat
الجهد التشغيلي - 12 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - 2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
وزن المنتج - 205 g

مقارنة Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايتمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false -
العمر الافتراضي المتوسط - 1400
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج - 50 g
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI818

Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4700 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1200 -
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm) -
وزن المنتج 7.5 g -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500 -
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) -
وزن المنتج 7.5 g -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false