صفحة 4 من المقارنة Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung Pm991A Nvme M2 256Gbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

الميزة	Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb	محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	250
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
وزن المنتج	-	8 g
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

أداتا VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS	Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	13000 MB/s	1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1480	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm)	-
وزن المنتج	12 g	-
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	8 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت	Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb
سعة الذاكرة	500 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 MB/s	1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	160	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	-
وزن المنتج	2.6 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي سامسونج PM981 NVMeمع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe	Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2400 MB/s	1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	440000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2	-
وزن المنتج	9 g	-
خيارات الألوان	Black, Green	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخليمع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي	Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb
سعة الذاكرة	3.84 TB
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	30000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5"	-
وزن المنتج	58 g	-
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2	Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4200 MB/s	1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	600	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm)	-
الشهادات والتصديقات	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

ديل VS سامسونغ

الميزة	محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي	Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb
سعة الذاكرة	1.6 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 MB/s	1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	300000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	-
وزن المنتج	146.2 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت	Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	6000 MB/s	3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5000 MB/s	1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	640	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	-
وزن المنتج	2.8 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	-
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة