صفحة 12 من المقارنة Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung Pm991A Nvme M2 256Gbمع Truebyte PRO بسعة 120 جيجابايت

الميزة

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

Truebyte PRO بسعة 120 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 440 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
دعم NCQ false true
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -
مادة الهيكل - معدن
خيارات الألوان - أسود، ذهبي

مقارنة Samsung Pm991A Nvme M2 256Gbمع إكس-إنرجي فالكون SATA 2.5 بوصة سعة 480 جيجابايت

الميزة

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

إكس-إنرجي فالكون SATA 2.5 بوصة سعة 480 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
الميزات الإضافية -

مقارنة Samsung Pm991A Nvme M2 256Gbمع Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 960 جيجابايت

الميزة

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 960 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
مؤشر الحالة LED false false
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث / Mac OS الإصدار 10.3 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 6 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مادة الهيكل - بلاستيك
الحجم والأبعاد - 11.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 46 جرام (g)
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-A

مقارنة Samsung Pm991A Nvme M2 256Gbمع زاداك TWSG3 NVMe M.2 سعة 256 جيجابايت

الميزة

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

زاداك TWSG3 NVMe M.2 سعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 2.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)

مقارنة Samsung Pm991A Nvme M2 256Gbمع ويسترن ديجيتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 سعة 250 جيجابايت

الميزة

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

ويسترن ديجيتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 سعة 250 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 2.8 أمبير (a)
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 (MTTF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 7.5 جرام (g)

مقارنة Samsung Pm991A Nvme M2 256Gbمع أداتا فالكون SATA 2.5 بوصة سعة 1 تيرابايت

الميزة

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

أداتا فالكون SATA 2.5 بوصة سعة 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
الأنظمة المتوافقة - Windows
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tbمع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

الميزة

Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري) -
مؤشر الحالة LED false false

مقارنة Samsung Pm991A Nvme M2 256Gbمع شيشو XS880 mSATA سعة 256 جيجابايت

الميزة

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

شيشو XS880 mSATA سعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الأنظمة المتوافقة - Windows 7, 8, 10 / macOS / Linux
الميزات الإضافية - معايير FCC, CE, ROHS

مقارنة Samsung Pm991A Nvme M2 256Gbمع Seagate Xbox Series 512Gb

الميزة

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

Seagate Xbox Series 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين منفذ خاص (مخصص)
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية - متوافق مع وحدات تحكم Xbox Series X و S / بنية Xbox Velocity لزيادة سرعة التخزين
الحجم والأبعاد - 5 * 76 * 139 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 68 جرام (g)

مقارنة Hp Ex950 Nvme M2 1Tbمع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

الميزة

Hp Ex950 Nvme M2 1Tb

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 650 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 6.93 واط في الوضع النشط / 0.73 واط في وضع الخمول
الأنظمة المتوافقة - Windows
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 5.4 جرام (g)

مقارنة Samsung Pm991A Nvme M2 256Gbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

الميزة

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

Twinmos Nvme M 2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
دعم NCQ false true
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الأنظمة المتوافقة - Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung Pm991A Nvme M2 256Gbمع Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد - 3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 9 جرام (g)