صفحة 3 من المقارنة Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي$

مقارنة Samsung Pm991 Nvme M2 128Gbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

سامسونغ VS سيجيت

الميزة	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb	محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1.92 TB
سرعة القراءة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		28000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
الجهد التشغيلي		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D cMLC
العمر الافتراضي المتوسط	-	2000000 saat
الحجم والأبعاد	-	M.2 (22 * 110 * 2 mm)
وزن المنتج	-	14 g
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb$

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 MB/s	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	300000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	-
وزن المنتج	146.2 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb$

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4200 MB/s	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	600	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm)	-
الشهادات والتصديقات	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb
سعة الذاكرة	512 GB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	6.5 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb$

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZ {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb$

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

ديل VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي ديل 345-BBCZ	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb
سعة الذاكرة	3.84 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	No	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb$

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

ديل VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb
سعة الذاكرة	960 GB
الحجم والأبعاد	2.5"	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb$

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايتمع Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	14700 MB/s	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	14000 MB/s	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	-
وزن المنتج	7.7 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb$

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

أداتا VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	13000 MB/s	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1480	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm)	-
وزن المنتج	12 g	-
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb$

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	-
الجهد التشغيلي	3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	-
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0) {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb$

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)مع Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
الجهد التشغيلي	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	-
وزن المنتج	46 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb
سعة الذاكرة	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	false
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة